'D램 1위 승승가도' SK하이닉스…세계 최초 1C 세상 열었다

/사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스 가 D램 업계 최선단 미세 공정인 10나노급 6세대 1c 기술 개발에 세계 최초로 성공하면서 D램 1위 기업 타이틀을 완전히 가져오겠단 의지를 드러냈다. 초미세공정기술력을 증명해내면서 DDR(더블데이터레이트)5뿐만 아니라 HBM(고대역폭메모리)과 LPDDR(저전력 더블데이터레이트)6 등 최첨단 D램 제품군에서 차후 시장 주도권을 이어가겠단 목표다.

SK하이닉스는 1c 미세 공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR(더블데이터레이트)5 D램을 전세계에서 가장 먼저 개발했다고 29일 밝혔다. (본지 4월 9일자 '[단독]SK하이닉스, '6세대 D램' 3분기 양산' 참조) 이틀 전인 27일 내부적으로 퀄(품질) 인증을 하고 공식적으로 개발 완료를 선언했다. 기존 업계 최선단 공정이었던 10나노급 5세대 1b의 회로 선폭은 12나노급, SK하이닉스의 1c공정은 11나노급으로 전해진다.

1c DDR5는 개발과 동시에 인텔의 서버용 플랫폼과 인증 절차에 돌입한다. 서버용 D램은 CPU와 결합해 사용되기 때문에 인텔과 같은 CPU(중앙처리장치) 제조사와의 인증 절차는 신제품 출시 전 필수다. 인텔의 글로벌 서버 CPU 시장 점유율은 70~80%다. 이는 인텔의 CPU를 구매하는 빅테크들이 모두 SK하이닉스의 고객사로 이어진단 의미다. AI(인공지능) 열풍으로 고성능 데이터센터 투자는 날이 갈수록 확대되고 있다.

SK하이닉스는 연내 신제품 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급할 예정이다. 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다. 또 설계 기술 혁신으로 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다.

SK하이닉스의 10나노급 6세대 D램 개발 속도는 경쟁사인 삼성전자, 마이크론보다 1개 분기 이상 이르다. 삼성전자와 마이크론 모두 6세대 D램 개발 시점이 빠르면 오는 12월, 늦으면 내년 1분기 정도로 예상된다.

D램 초미세공정 경쟁이 날이 갈수록 치열해지면서 메모리반도체 기업들 간 기술 격차도 크게 좁혀졌다. 1위 삼성전자와 후발주자(SK하이닉스, 마이크론)의 공식도 깨졌다. 반도체 업계는 10나노급 4세대(1a) 때부터 SK하이닉스가 삼성전자와 동등 개발, 1b부턴 수율 램프업(증대)시기를 고려할 때 삼성전자를 제친 것으로 본다.

SK하이닉스는 1c DDR5에 앞서 1b DDR5에서도 지난해 5월 세계 최초로 인텔 데이터센터 호환성 검증에 들어갔다.


SK하이닉스는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 당사는 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"며 "메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 말했다.

미세공정 기술 개발이 빨라질수록 이를 적용하는 각종 D램 솔루션의 생산성도 높아진다. 기술력 리더십이 구체적인 제품들의 생산과 판매에서도 실질적인 시장 확보로 연결된다는 얘기다. SK하이닉스는 DDR5와 HBM 모두 글로벌 시장 점유율 1위다.



김종환 부사장(DRAM 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM, LPDDR6, GDDR7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.