(서울=뉴스1) = 삼성전자 파운드리 사업부장 최시영 사장이 9일 서울 강남구 삼성동 코엑스에서 열린 '삼성 파운드리 포럼 2024(Samsung Foundry Forum 2024)'에서 기조연설을 하고 있다. (삼성전자 제공) 2024.7.9/뉴스1 Copyright (C) 뉴스1. All rights reserved. 무단 전재 및 재배포, AI학습 이용 금지. /사진=(서울=뉴스1)
삼성전자가 최근 '파운드리 포럼'에서 공개한 로드맵에 따르면 이 회사는 이전 세대 HBM에 적용했던 TC-NCF(열압착 비전도성접착필름) 대신 HBM4에는 코퍼 투 코퍼 본딩(Copper to Copper Bonding) 기술을 적용한다.
삼성전자는 '코퍼 투 코퍼 본딩'을 활용해 이런 한계를 극복하려는 것으로 보인다. 이는 이름 그대로 반도체 칩의 구리 배선을 직접 연결하는 방식이다. 칩 표면의 구리와 절연체 역할을 하는 산화막을 각각 붙도록 하는 방식이라 '하이브리드 본딩'으로 불린다. 칩을 전기적으로 연결하는 납땜용 구슬인 범프를 사용하지 않아 HBM 두께를 줄이기 쉽다는 장점이 있다. 전기 저항 감소, 열 방출 개선 등도 장점으로 꼽힌다.
반도체 업계 관계자는 "HBM 성능을 높이려면 결국 하이브리드 본딩 기술이 필요하다"며 "다만 하이브리드 본딩의 기술적 난이도가 높아 삼성전자 목표대로 내년 HBM4 개발에 적용할 수 있을지가 관건"이라고 말했다.
한편 로드맵에 따르면 삼성전자는 HBM4 사업 전략을 '커스텀(custom, 맞춤형) HBM'으로 정했다. HBM3E까지는 범용 제품 공급에 초점을 맞췄다면 HBM4부터는 고객 맞춤형으로 시장을 공략하겠다는 의미다.
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김경륜 삼성전자 상무는 최근 뉴스룸을 통해 "프로세서와 메모리 업체가 제품을 개별적으로 최적화해서는 AGI(범용인공지능) 시대가 요구하는 미래 혁신을 만들어내기 어렵다는 업계 공감대가 있다"며 "맞춤형 HBM은 프로세서, 메모리가 공동 최적화를 수행하는 첫 단추이자 AGI 시대를 여는 교두보라고 할 수 있다"고 밝혔다.