삼성, 40나노급 DDR3 세계 첫 양산

해외 경쟁사와 원가 경쟁력 격차 확대

삼성전자 가 46나노 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품 양산에 들어간다. 40나노급 공정으로 D램을 양산하는 것은 삼성전자가 처음이다.

하이닉스반도체도 하반기 중 44나노 공정을 적용한 DDR3 제품 양산에 들어갈 예정이다. 첨단 공정을 적용할 수로 생산 원가가 낮아지기 때문에 국내 반도체업체들과 해외 경쟁사들과의 원가 경쟁력 차이는 더욱 벌어질 전망이다.

삼성전자는 지난 1월 46나노(1나노: 10억분의 1미터) 공정을 적용한 D램을 개발한 데 이어 이번 달 말부터 본격 양산에 들어간다고 21일 밝혔다.

이번에 양산한 46나노 2Gb DDR3 D램은 지난해 9월 삼성전자가 세계 최초로 양산한 56나노 제품에 비해 생산성이 약 60% 향상됐다. 기존에 한 웨이퍼에서 100개의 D램을 생산했다면 더 정밀한 46나노 기술을 적용할 경우 160개를 생산할 수 있다는 얘기다.

삼성전자는 생산 공정을 단순화하고, 생산 기간을 단축시키는 등 생산 효율을 높여 원가경쟁력을 더욱 높였다고 밝혔다.

삼성전자 관계자는 "46나노 D램을 조기 양산함으로써 최고의 친환경 솔루션으로 호평받고 있는 56나노 2Gb DDR3 D램보다 고성능 제품을 제공하게 돼 제품 차별화를 더욱 강화하게 됐다"고 말했다.

이번에 양산되는 46나노 2Gb DDR3 D램의 주력 공급 제품은 동작전압이 1.35V로, 기존 1.5V 제품에 비해 약 20% 정도 빠른 1.6Gbps의 빠른 데이터 처리 속도를 구현한다. 1.6Gbps는 4.7기가바이트(GByte) 용량의 DVD급 영화를 0.18초 만에 다운로드 받을 수 있는 속도다.


대체로 DDR2의 동작전압은 1.8V, 속도는 400M~800 Mbps 정도다. DDR3는 동작전압이 1.35~1.5V 속도는 800M~1.6Gbps까지 나온다.

삼성전자는 DDR3 시장 확대를 위해 △서버용 16기가바이트(GB) 및 8기가바이트 모듈(RDIMM) △워크스테이션, 데스크 탑 PC용 4기가바이트 모듈(UDIMM) △노트북 PC용 4기가바이트 모듈(SODIMM) 등 대용량 메모리 모듈 제품을 중점적으로 공급할 계획이다.



삼성전자는 앞으로도 차별화된 차세대 고용량, 고성능 D램 제품을 선행 개발해 업계 최고의 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 것이라고 밝혔다.

다른 국내 메모리 반도체 업체인 하이닉스도 올해 3분기 중 44나노 1Gb DDR3를, 4분기 중 44나노 2Gb DDR3 양산에 들어갈 예정이다.

하이닉스 관계자는 "연말 까지는 1Gb와 2Gb 제품 모두 본격 양산에 들어가게 될 것"이라고 말했다.



하이닉스와 삼성전자를 제외한 대부분의 D램 업체들은 오는 2010년 이후 40나노급 공정 개발을 목표로 하고 있다.

한편 반도체 시장 조사기관인 아이서플라이에 따르면 DDR3 D램은 비트(Bit) 환산 기준으로 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 올해 20%에서 오는 2012년 82%까지 늘어날 것으로 전망된다. 2Gb D램은 DDR3 D램 시장에서 올해 5%에서 2010년 18%, 2012년 82%로 크게 성장할 것이라는 전망이다.