삼성電, 60나노1기가 D램 양산.."또 세계최초"

D램 기가시대 열어..시장규모 2009년까지 320억弗 예상

삼성전자가 또 한번 세계 최초의 기록을 세웠다.

삼성전자 는 1일 세계 최초로 60나노급 공정을 적용한 1기가 DDR2 D램 양산에 착수했다고 발표했다. 지난해 3월 세계 최초로 80나노 D램 시대를 연지 불과 1년도 안돼 80나노 대비 2세대 앞선 60나노급 1기가 D램 양산을 실현한 것이다.

60나노급 공정은 기존 80나노에 비교해 40% 이상, D램 업계의 현재 주력 양산 공정인 90나노에 비해서는 2배 이상 생산성 향상이 가능하다. 이에 따라 경쟁사와의 원가 경쟁력 차이를 더욱 확대할 수 있는 최첨단 공정 기술이라는게 삼성전자의 설명이다.

삼성전자는 또 60나노 D램 세계 최초 양산은 그 자체로도 의미가 있지만 앞으로 50나노, 40나노급 제품 개발과 양산에 있어서도 삼성이 지속적으로 업계를 리드해 나갈 수 있는 기반을 마련했다는 점에서 더 의의가 있다고 강조했다.

삼성전자는 특히 50나노급 이하에서 반드시 적용돼야 할 핵심기술인 RCAT(Recess Channel Array Tr.)을 이미 확보하고 있는 상태다. D램 셀의 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작, 면적을 최소화함으로써 집적도를 더욱 높인 신개념 기술인 RCAT를 삼성은 이미 90나노부터 양산 적용 중에 있다.

삼성전자는 이밖에도 2004년 업계 최초로 범용 D램에 적용한 금속 기반 (MIM: Metal Insulator Metal) 캐패시터 기술을 60나노에도 적용, 캐패시터의 데이터 저장 특성을 획기적으로 개선할 수 있다고 설명했다.

삼성전자는 특히 대부분 경쟁사들이 8F²기술을 사용하고 있지만 이번 제품은 6F²셀 구조기술을 채택, 기존의 D램 셀 최소 면적 단위인 8F² 대비 10~15% 추가 생산성 향상을 기대할 수 있다고 밝혔다.

"F"는 디자인 룰(Design Rule)을 의미하는 것으로 지금까지는 가로 길이 4F와 세로 길이 2F의 곱으로 8F²라는 셀 면적이 정해졌지만 6F²는 가로 길이 4F를 3F로 줄여 셀 면적을 축소, 동일 디자인 룰에서 생산성 향상의 추가 실현이 가능하다.


한편 삼성전자는 이번 60나노급 제품 양산으로 D램의 기가시대를 본격적으로 열게 됐다고 밝혔다. 60나노급 D램은 초고속 동작은 물론 저소비 전력 특성이 강화된 설계 기술을 바탕으로 대용량 PC D램, 초고속 동작이 요구되는 그래픽 D램, 저전력과 대용량이 동시에 요구되는 모바일 D램 등 모든 D램에 확대 적용이 가능하다는 것.

특히 올해는 윈도우 비스타의 출시로 시스템당 채용되는 평균 메모리 용량이 512메가 바이트에서 최대 2기가 바이트까지 확대됨으로써 1기가 D램의 시장 확대는 더욱 가속화 될 전망이다.



삼성전자에 따르면 60나노급 D램의 시장 창출 규모는 도입기인 2007년 23억불을 시작으로 2009년까지 누계로는 320억불에 육박할 것으로 예상된다.

삼성전자는 "1기가 DDR2를 시작으로 앞으로 2기가 DDR2, 1기가 DDR3 등 모든 주력 제품들에 60나노 기술을 확대 적용, D램 시장에서의 지배력을 지속 극대화해 나갈 계획"이라고 밝혔다.