/사진제공=SK하이닉스
SK하이닉스가 극미세화된 메모리 공정 기술을 개발하면서, 1c가 업계 최선단 공정인 세상이 열리게 됐다. 기존 업계 최선단 공정이었던 1b의 회로 선폭은 12나노급, SK하이닉스가 가장 먼저 개발한 1c는 11나노급으로 전해진다.
SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. 기존의 세대를 활용하면서 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이고 더욱 수월하게 개발에 성공했다.
또 EUV(극자외선) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화로 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다고 SK하이닉스가 전했다.
1c DDR5는 고성능 데이터센터에 주로 활용될 가능성이 크다. 신제품의 동작속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다. AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것으로 기대된다.
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김종환 SK하이닉스 부사장(D램 개발담당)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 HBM(고대역폭메모리), LPDDR(저전력 더블데이터레이트)6, GDDR(그래픽더블데이터레이트)7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 당사는 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다.