3일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면, 글로벌 메모리 제조기업들은 AI(인공지능) 반도체가 발전함에 따라 더욱 성능을 높인 HBM3E 신제품을 내년 중 선보일 계획이다.
HBM3은 처리 속도를 기준으로 2가지로 분류되는데, 5.6~6.4Gbps(초당 기기비트)의 HBM3와 이보다 속도가 한층 빠른 8Gbps의 HBM3E로 나뉜다.
차세대 제품인 HBM3E의 경우, 트렌드포스는 SK하이닉스와 삼성전자가 내년 1분기 경 샘플을 출시할 것으로 전망했다. 마이크론은 아예 HBM3을 건너뛰고 곧바로 HBM3E 개발에 착수한 것으로 알려졌다. HBM3E는 2025년 출시 예정인 엔비디아의 차세대 제품인 GB100에 탑재될 것으로 예상되는데, 시장 선점을 노리는 글로벌 3대 메모리 기업들은 내년 초 샘플 공개 후 테스트를 거쳐 하반기 양산에 들어가는 것을 목표로 할 것으로 보인다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결, 기존 D램 대비 데이터 처리 속도를 대폭 끌어올린 고성능 제품이다. 본래 그래픽 작업용으로 만들어졌지만, 인공지능(AI) 시장이 확대되면서 대량의 데이터를 한 번에 처리할 수 있는 HBM의 활용도가 크게 높아졌다.
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트렌드포스 집계 기준, 지난해 글로벌 HBM시장에서 SK하이닉스는 시장점유율 50%로 1위를 기록했다. 삼성전자(40%)와 마이크론(10%)은 각각 2위와 3위였다.
SK하이닉스는 지난달 26일 실적발표 후 컨퍼런스콜에서 "HBM 시장 초기부터 오랜 기간 경험과 기술 경쟁력을 축적해왔다"며 "이같은 강점을 바탕으로 시장 선두를 계속해서 유지할 것"이라고 밝혔다.
삼성전자는 지난 2분기 실적 컨퍼런스콜에서 "시장 선도업체로서 HBM2를 주요 고객사에 독점 공급했고, 후속으로 HBM2E 제품 사업도 원활히 진행 중"이라고 밝혔다. 이어 "HBM3 제품은 업계 최고 수준의 성능과 용량으로 고객 콜을 진행 하고 있다"며 "차세대인 HBM3P 제품은 24GB(기가바이트) 기반으로 하반기 출시 예정"이라고 공개했다.