한국전자통신연구원(ETRI)은 'S-대역 200와트(W)급 질화갈륨 전력소자(GaN)' 기술을 개발했다고 5일 밝혔다. 소자 설계부터 공정은 물론, 측정 및 패키징까지 모두 국내 기술력으로 이룬 성과다.
S-대역 200W급 GaN 전력소자 웨이퍼./사진제공=ETRI
기존 장비 전력을 제어하는 부품으로 진공관이 주로 사용되어 왔으나 수명이 짧고 발전기 등 큰 부속 장비가 필요해 구축 비용이 만만치 않았다.
하지만 관련 기술력과 가격 경쟁력을 갖춘 곳이 많지 않아 국내 군수, 방산, 민간업계에서는 그간 전량 외산 장비를 수입해 사용해 왔다.
특히, 최근에는 일본이 전력반도체 및 집적회로 등에 대해 수출 규제로 대응이 꼭 필요한 상황이었다.
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ETRI는 지난 4년간 노력 끝에 미국 울프스피드(Wolfspeed)나 일본 스미토모(Sumitomo) 등 세계 최고 반도체 회사와 대등한 성능을 나타내는 S-대역 200와트 전력소자 칩을 개발해 냈다. 연구진은 한 개의 0.78mm x 26mm 크기의 전력소자 칩을 패키징해 성능을 검증했다.
이 기술은 150W급 이상 높은 시스템 출력을 필요로 하는 레이더 개발에 많은 도움이 될 것으로 기대된다. 군용 고출력 레이더 뿐 아니라 민간 선박, 위성 통신 레이더에 응용이 가능하기 때문이다. 이외에도 고출력 전력소자는 차세대 이동통신 기지국 및 중계기, 선박용 및 차량용 레이더, 위성통신 등 활용범위도 넓다.
이 연구원의 강동민 RF/전력부품연구실장연구진은 "시장조사 전문기관에 따르면 질화갈륨 전력소자 전체 시장은 내년 약 630억 달러로 예측돼 관련 산업 전망도 밝다" 며 "이 기술 개발로 외산 장비 의존도를 줄이고 일본 수출 규제 대응에도 큰 도움이 되길 기대한다"고 말했다.