하이닉스반도체, 차세대 D램 'DDR4' 개발

기존 'DDR3'대비 데이터처리속도 2배까지 끌어올릴 예정

하이닉스 반도체가 현재 주력으로 거래되는 'DDR3'(Double Data Rate3)에 이은 차세대 D램인 'DDR4'를 개발했다고 4일 밝혔다. 이 제품은 내년 하반기부터 양산될 예정이다.

하이닉스 측은 "최첨단 D램 제조공정인 30나노급 공정을 이용해 메모리용량 2기가비트(Gb)인 DDR4 제품을 개발했다"며 "이 제품을 적층해 서버용 2기가바이트(GB) 메모리모듈(ECC-SODIMM)도 아울러 개발했다"고 설명했다.

DDR4 2400Mbps는 기존 DDR3 1333MHz보다 현재 데이터전송속도가 80% 가량 빠르며, 양산기술 단계에까지 가면 DDR4의 속도가 2666MHz까지 끌어올려 속도를 2배 정로 높일 예정이다.

특히 이 제품은 1.2볼트(V) 전압에서 구동하며, D램의 동작온도 및 명령신호 전송상태에 따라 능동적으로 소비전류를 감소시키는 신규 회로 기술을 적용해 1.5V DDR3 대비 50% 가량 전력소모가 줄어들었다. 또 메모리모듈은 DVD급 영화 4∼5편에 해당하는 19.2GB 용량 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다.

김지범 하이닉스 마케팅본부장(전무)은 "이 제품은 친환경과 저전력, 고성능 특성을 모두 만족시킬 수 있다"며 "기존 PC 및 서버와 함께 태블릿PC 시장에서도 경쟁력 있는 솔루션을 제공할 수 있을 것"이라고 말했다.

시장조사업체 아이서플라이는 DDR4 비중이 2013년 5%에서 2015년 50%를 넘어 주력 제품이 될 것으로 전망했다. DDR3 비중은 내년에 71%로 최고점을 찍고 2013년과 2014년에는 각각 68%, 49%로 비중이 감소할 것으로 내다봤다.

↑2Gb 메모리용량 'DDR4'(왼쪽)와 이 제품을 적용해 만든 2GB 용량 메모리모듈