머니투데이

삼성전자, 세계최초 10나노 S램 발표…논문수 인텔 제쳤다

머니투데이 박종진 기자 2015.11.17 16:04

세계 반도체 올림픽 '2016 ISSCC'서 한국 논문 채택수 3위, 삼성전자 9편 '기관 중 2위'


삼성전자 (2,560,000원 29000 +1.1%)가 세계 최초로 14나노 공정의 낸드플래시 반도체와 10나노 공정의 SRAM(CPU의 캐시 메모리) 기술을 '2016 ISSCC(국제 고체회로 학술회의)'에서 발표한다.

삼성전자는 세계 반도체 올림픽으로 불리는 ISSCC에서 9개(삼성전자 미국법인 1편 포함) 논문이 채택돼 인텔(8개)을 제치고 세계 2위를 지켰다.

ISSCC는 17일 서울 프레스센터에서 기자간담회를 열고 내년 1월 말부터 미국 샌프란시스코에서 열리는 2016년 학회에서 총 22편의 한국 논문이 채택됐다고 밝혔다.

ISSCC는 1954년 설립된 반도체 분야 최고권위의 학회로 매년 3000명 이상의 반도체 전문가들이 모여 최신 성과를 발표하는 자리다. 이번 대회에는 596편의 논문이 제출됐고 심사를 거쳐 200편이 선정됐다.

우리나라는 미국(82개)과 일본(24개)에 이어 논문 발표국 3위를 차지했다. 국가별로는 전년 2위에서 일본에 밀려 한 계단 내려앉았지만, 기관별로는 삼성전자가 9편으로 전체 기관 중 2위 자리를 지켰다. 1위는 IMEC(10편, 벨기에 반도체 연구기관), 3위는 인텔과 미시건대(각 8편)로 집계됐다.

메모리반도체 강국답게 메모리 분과에서는 모두 14편의 논문 중 한국 논문이 절반(삼성전자 5편, SK하이닉스 2편)이다. 특히 D램 분야에서는 삼성전자와 SK하이닉스 (77,200원 1500 +2.0%)만 논문을 발표해 압도적 기술 수준을 다시 한번 증명했다.

삼성전자는 이전 세대 대비 2.4배 속도가 향상된 8기가비트(Gb) 고대역폭 메모리, SK하이닉스는 세계 최대 전송속도를 갖춘 모바일용 D램 개발 논문 등을 각각 발표한다.

또 삼성전자는 세계최초로 14나노 공정의 평면 낸드 플래시 반도체도 선보인다. 도시바의 15나노 공정보다 앞선 기술이다. 역시 세계최초로 10나노 핀펫 128메가비트(Mb) S램 기술도 내놓는다. 경쟁사 인텔은 14나노 제품을 쓰고 있다.

일각에서는 우리나라가 메모리 편중을 벗어나 다양한 미래 반도체 유망분야에 투자해야 한다는 지적도 나온다. 성장 가능성이 높은 무선 송수신 분야와 바이오센서 등에서는 아직 미국과 유럽이 강세를 보이고 있으며 우리나라 논문 제출 실적도 미미하다.

한국인 최초로 ISSCC 기술프로그램 전체 위원장을 역임한 유회준 카이스트 교수는 "메모리 반도체는 세계 최고의 경쟁력을 갖추고 있지만 다른 부분들은 좀더 노력이 필요한 부분이 많다"며 "중화권이 빠르게 성장하고 있는 만큼 우리도 정부의 적극적인 정책과 지원 아래 산업계와 학계가 함께 미래 지향적인 분야에 연구개발과 투자를 집중해야 한다"고 지적했다.

한편 2016 ISSCC는 '만물인터넷을 위한 반도체 시스템'을 주제로 열린다. 사물인터넷(IoT)을 넘어, 모든 사물들이 인터넷으로 서로 소통하는 만물인터넷(IoE) 시대를 위한 다양한 회로·시스템 기술들을 발표한다. 논문 발표 외에도 패널 토론, 포럼, 전문가 강연 등 각종 프로그램이 진행된다.
신흥 국가의 우수학생 논문 제출을 장려하기 위해 수여하는 '실크로드 어워드'를 우리나라 최서진 학생(울산과학기술대, 지도교수 최재혁)이 수상하기도 한다. 데모 세션에서는 홍인준 학생(카이스트, 지도교수 유회준)이 시연한 '시선 추적이 가능한 저전력 물체 인식 안경 시스템'이 최우수로 선정돼 학회에서 수상한다.
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