(왼쪽부터) 한국재료연구원 마호진 박사, 박영조 박사
일반적인 반도체 공정은 플라즈마를 이용한 식각 공정으로 이뤄진다. 이 과정에서 실리콘 웨이퍼와 장비의 내부 부품까지 플라즈마에 노출돼 오염 입자를 생성하는데 이는 칩 불량 발생의 원인이 된다.
연구팀은 기존의 단일 조성 세라믹이 아닌 나노복합체를 이용해 이트리아-마그네시아(Y2O3-MgO) 소재를 10나노미터(㎚) 크기의 입자로 합성하고, 무기공 치밀체 소결 공정 기술을 통해 100% 밀도의 완전 치밀체를 제작했다.
이외 연구팀은 나노복합체의 미세구조 내 결정립 크기와 기공도에 따라 플라즈마 식각 후에 나타나는 표면 변화를 분석하고, 미세하고 균일한 미세구조 분포를 가진 나노복합체가 우수한 식각 저항성과 적은 표면 조도 변화를 가져온다는 사실을 확인했다.
마호진 재료연 선임연구원은 "반도체 전 공정 중 식각 공정은 미국과 일본의 장비.부품이 90% 이상을 장악하고 있으며 이를 중국이 빠르게 추격하는 추세"라며 "이번 성과는 세계 최고 수준의 내플라즈마성 소재를 국내 기술로 개발한 대표적 사례임과 동시에 소재 자립화를 통해 부품을 국산화하는 초석이 될 것"이라고 말했다.
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