용량·속도·효율 업계 1등…SK 3세대 10나노급 DDR4 D램 개발

연내 양산 준비 완료..내년부터 본격 공급

SK하이닉스가 개발한 3세대 10나노급(1z) DDR4 D램/사진제공=SK하이닉스

SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용해 업계 최고 수준의 용량과 데이터 전송 속도를 구현한 16Gb(기가비트) DDR4 D램(DRAM)을 개발했다.

이 제품은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량이 현존하는 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐으며, 초고가의 EUV(극자외선) 노광 공정 없이 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 갖췄다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps(메가비피에스·초당 메가비트)까지 안정적으로 지원하고, 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다. DDR은 JEDEC(국제반도체표준협의기구)에서 규정한 D램의 표준 규격 명칭으로 DDR1→2→3→4로 세대가 진화하면서 동작 속도와 전력 소비 등 D램의 성능도 개선되고 있다.

특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정엔 사용하지 않았던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(전하를 저장할 수 있는 양·능력)을 극대화했으며 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다. 통상 D램의 정전용량이 늘어나면 데이터의 유지시간과 정합도가 확대된다.

D램개발사업 1z TF(태스크포스)장을 맡고 있는 이정훈 담당은 "고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나설 것"이라고 말했다.

한편 SK하이닉스 는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5(저전력 이중 데이터 전송률 메모리 5·Low Power Double Data Rate 5)와 최고속 D램 HBM(고대역폭 메모리·High Bandwidth Memory)3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해 나갈 계획이다.