삼성전자 관계자는 4일 "D램 전용공장인 경기 화성 10라인에 지난해 말부터 반도체 원판(웨이퍼) 투입을 순차적으로 줄이고 있다"며 "다음달까지 10라인 가동을 모두 중단할 것"이라고 밝혔다.
지난해말 기흥 3라인의 가동을 순차적으로 줄여 올 1분기까지 가동을 전면 중단키로 했고, 4라인도 올해 중 가동을 중단할 것이라고 밝힌 바 있으나 이는 모두 비메모리반도체(시스템LSI) 라인이었다.
삼성전자는 현재 화성 10, 11, 12, 13, 15라인을 비롯해 미국 오스틴 1개 라인 등 총 6개 라인에서 D램을 생산하고 있다. D램 라인 가운데 10라인 및 오스틴 1개 라인 등 2곳만 200㎜ 공정이며 나머지는 모두 300㎜ 공정이다.
삼성전자는 300㎜ 라인에 비해 D램 생산 채산성이 크게 떨어지는 200㎜ 라인 중 10라인의 가동을 우선 중단키로 한 것으로 풀이된다. 일반적으로 300㎜ 공정으로 반도체를 생산할 경우 200㎜에 비해 단일 원판에서 생산되는 반도체 물량이 2.5배 정도 늘어난다.
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삼성전자는 200㎜ D램 라인을 정리하는 수순에 따라 10라인에 이어 미국 오스틴 200㎜ 라인 역시 연내 가동을 중단할 것으로 전망된다.
하지만 D램 업계 부동의 1위인 삼성전자가 10라인 가동을 중단하더라도 전세계적인 D램 업황 회복 시기가 앞당겨지지는 않을 것이라는 전망이 우세하다.
업계 한 관계자는 "10라인은 512메가비트(Mb) 이하 저용량(레거시) D램을 주로 생산하는 곳으로 현재 기가비트(Gb)급 D램이 주력으로 자리매김한 상황에서 D램 수급에 미치는 영향은 적을 것"이라고 말했다.
한편 삼성전자에 정통한 소식통은 "지난해 말 10라인에 대한 원판 투입을 전면 중단하고 이달 중 가동도 중단할 예정으로 안다"고 밝혔으나 삼성전자 측은 "아직 10라인의 일부는 가동 중이다"고 말했다.