안그래도 호조를 보이고 있는 삼성전자 주식이 40나노급 공정 D램 개발로
상승을 이어가고 있습니다. 당분간 타 IT업체들과의 격차도 더욱 벌어질 전망입니다. 김성일기자가 취재했습니다.
< 리포트 >
삼성전자가 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 DDR2 D램 개발에 성공했습니다.
예를 들어 같은 웨이퍼 안에 50나노급 공정을 했을 때 100을 생산한다면,
보다 미세한 40나노급 공정에선 160에 달하는 생산이 가능하다는 것입니다.
저전력, 저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작이 가능하다는 점도 주목됩니다.
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기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과가 기대됩니다.
삼성전자는 여세를 몰아 40나노급 2기가 DDR3 제품 양산 일정을 밝히며, D램 업체 대비 제조 경쟁력 격차를 2년 이상 벌려나간다는 계획입니다.
[녹취] 황진오 / 삼성전자 홍보팀
“기존 대부분 업체들이 60나노급, 하이닉스가 50나노급 인데 이런 업체들보다
저희 개발 양산을 봤을 때 그정도의 격차가 날 것으로 보시면 되죠.”
삼성전자의 이같은 추진력에 힘입어 주가도 상승하고 있습니다.
대만 기업 구조조정에 대한 기대감과 반도체 종목이 저점을 찍었다는 공감대가 형성된 가운데 40나노급 D램 공정 개발 성공은 또 하나의 호재로 작용하고 있습니다.
[녹취] 구자우 / 교보증권 연구원
“삼성전자의 경우 앞으로도 전체적인 재무 안정성이나 기술 선도력 이런것들 감안했을 때 가장 안정적으로 투자할 종목이라고 생각합니다.”
MTN 김성일입니다.
