삼성전자, 세계 최초 40나노 D램 개발

생산성 60% 향상..3분기 2기가 DDR3 양산에 적용..

삼성전자 가 세계 최초로 40나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 공정을 적용한 DDR2 D램 제품을 개발했다.

올해 3분기 2기가 DDR3 제품 양산에 바로 적용해 양산 시점도 1년 이상 단축한다.

삼성전자는 지난 2005년 60나노급 D램, 06년 50나노급 D램의 최초 개발에 이어 세계에서 처음으로 40나노급 D램 제품 개발에 성공했다고 4일 밝혔다.

이번에 개발된 40나노급 DDR2 제품은 D램 공급 업체 중 유일하게 지난해 12월 미국 CPU 업체인 인텔에서 단품 채용 평가를 완료한 데 이어 올해 1월 1기가바이트(GB) DDR2 SoDIMM 모듈까지 2종의 제품 채용 평가를 완료했다.

삼성전자는 40나노급 1기가 DDR2 D램 개발 기술을 적용해, 40나노급 2기가 DDR3 제품을 개발 완료하고 3분기 중 양산할 예정이다.

이는 50나노급에서 제품 개발 후 양산까지 약 2년 정도 걸렸던 것이 비해 공정이 더 미세해지는 40나노급에서 신제품 양산 기간을 1년 이상 단축한 것이다.

삼성전자 관계자는 "양산 시기를 당긴 것은 현재 시장 상황을 적극적으로 타개해 나가고자 하는 삼성전자의 전략이 담겨있다"고 말했다.


40나노급 2기가비트 DDR3 D램은 지난해 9월 양산을 시작한 50나노 2기가비트 DDR3 D램 대비 생산성을 약 60% 향상시킬 수 있어 현재 50~60 나노급 D램을 양산하고 있는 D램 업체 대비 제조 경쟁력의 격차를 1~2년 이상으로 확대시킬 것으로 삼성전자는 전망했다.

저전력·저전압 특성을 더욱 강화할 수 있는 1.2V 동작도 가능하다. 기존 50나노급 1.5V D램 대비 약 30% 이상 소비전력 감소 효과까지 발휘할 수 있다.



삼성전자 관계자는 "40나노급 D램 시장을 선점함으로써 친환경 특성을 더욱 강화한 고부가가치 D램 시장을 창출하는 것은 물론, 향후 DDR4 등 초고속을 구현하는 차세대 고용량·고성능 제품을 선행 개발해 업계 최고의 기술 리더십을 확보하고 경쟁력 우위를 지속 유지해 나갈 계획"이라고 말했다.

↑삼성전자가 세계 최초로 개발한 40나노 공정을 적용한 1GB DDR2 SoDDIM 모듈.