2-Rank 기반 16GB DDR3 메모리 모듈은 지난 2월 개발된 2-Rank 기반 8GB DDR2 모듈과 같이 고용량을 구현하면서도 동작 속도의 손실이 없어 대용량 서버 및 워크스테이션 등의 애플리케이션에 적합하다.
또 이번에 함께 선보인 8GB DDR3 모듈도 한 채널을 24GB 용량까지 구성해 1066Mbps 속도로 동작시킬 수 있으며 올해 말까지 이 속도를 1333Mbps까지 향상시킬 계획이다.
김지범 하이닉스 마케팅본부 전무는 “이번 제품 개발로 인텔의 고용량 서버 애플리케이션 등에 적합한 고용량 모듈 제품 군을 갖출 수 있게 돼 고용량 서버 시장에서의 경쟁력을 확보했다”고 강조했다.
김 전무는 “특히 2010년부터 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3 시장에 하이닉스가 고성능 제품으로 조기 진입해 시장을 선도할 수 있는 기반을 마련한 것에 의의가 있다”라고 덧붙였다.
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16GB DDR3 메모리 모듈은 19일부터 미국 샌프란시스코에서 열리고 있는 인텔개발자포럼(IDF)에서 소개됐으며 인텔은 하이닉스의 제품을 10개로 구성해 160GB 용량으로 동작시키는 별도의 시스템을 구축해 시연할 예정이다.
☞Rank= 메모리 모듈에서 개별 메모리 소자(Component)가 여럿 모여서 하나의 단위로 동작하는 것을 Rank라 한다. 예를 들어 같은 용량의 1GB 모듈이라도, 1Gb 8개가 하나의 단위로 동작하는 것을 1 Rank라고 할 경우엔 1GB 1-Rank 모듈, 1Gb 4개가 하나의 단위로 동작하는 것을 1 Rank라고 한다면 1GB 2-Rank인 모듈이 된다.