하이닉스, 세계 최초 3중 셀 32Gb 낸드 개발

칩 하나로 32기가바이트의 세계 최대 메모리 용량 확보

하이닉스 반도체가 세계 최초로 3중셀(X3) 기술을 적용한 32기가비트(Gb) 낸드플래시 메모리 를 개발했다.

3중셀(3 bit per cell, X3)은 하나의 셀에 세 개의 정보를 담을 수 있는 기술이다. 현재는 한 셀에 하나의 정보를 담는 싱글레벨셀(SLC, Single Level Cell), 한 셀에 두 개의 정보를 담을 수 있는 기존의 멀티레벨셀(MLC, Multi Level Cell)만이 개발돼 있는 상태다.

3중셀 기반 제품은 기존 MLC 대비 반도체 면적을 30% 이상 축소할 수 있어 원가 절감을 획기적으로 이룰 수 있다. 하이닉스는 오는 10월부터 48나노미터 미세회로 공정을 적용해 이 제품을 양산할 계획이다.

이 제품 8개를 하나의 상용 칩 패키지로 묶어 32기가바이트(GB)까지 메모리 용량을 구현할 수 있다. 32GB는 MP3 음악파일 8000곡, DVD화질급 영화 20편, 고해상도 사진 3만6000장, 일간지 200년치, 단행본 220만권 분량에 해당하는 정보를 저장할 수 있다.

하이닉스는 또 이 제품이 인텔, 소니, 마이크론 등과 함께 주도하고 있는 낸드플래시 표준화 그룹인 '오픈 낸드플래시 인터페이스'(ONFI)의 규정을 따른 세계 최초의 'BA(Block Abstracted) 낸드플래시'(낸드플래시 안에 컨트롤러가 장착돼 기능을 제어) 제품이라고 밝혔다.

이 제품은 특히 '메모리 시그널 프로세싱'(MSP, Memory Signal Processing) 기술을 이용해 3중셀 제품의 최대 장애요인인 셀간 간섭 현상을 해결했다. 이로써 기존 MLC 제품과 동일한 수준의 성능과 신뢰도를 확보하면서도 생산원가를 크게 낮춰 시장 경쟁력을 강화할 수 있게 됐다고 하이닉스는 설명했다.

하이닉스는 MSP 기술이 앞으로 4중셀(4 bit per cell, X4) 등 차세대 제품에도 확장 적용이 가능해 공정 미세화의 한계를 극복하고 메모리 용량 성장세를 지속할 수 있는 대안이 될 것으로 기대했다.


낸드플래시는 D램과 달리 전원이 꺼져도 저장된 정보를 그대로 보존할 수 있고 정보의 입출력도 자유로워 디지털TV, 디지털 캠코더, 디지털 카메라, 이동통신단말기, 개인휴대단말기(PDA), MP3 플레이어, 게임기, 내비게이션 등에 널리 사용되고 있다.

☞3중셀(3 bit per cell, X3) 기술 : 한 셀 당 3 비트의 정보를 저장하는 차세대 낸드 플래시 기술이다. 하나의 낸드 플래시에는 수백억 개의 메모리 셀로 구성돼 있는데, 이 메모리 셀 하나당 1비트의 정보를 저장하는 방식을 SLC(Single Level Cell)라고 부른다. 현재 일반적으로 상용화된 MLC(Multi Level Cell) 기술은 메모리 셀 하나당 2 비트의 정보를 저장할 수 있으며 이처럼 셀 당 저장 용량이 늘어나면 필요한 셀의 개수가 절반으로 줄어들어 제조 원가가 크게 절감되며 제품 크기도 작아진다.



현재 대부분의 메모리 업체는 이 셀의 저장용량을 늘리기 위해 3중셀(X3, 셀 하나에 3비트 저장 가능), 4중셀(X4, 셀 하나에 4비트 저장 가능)의 개발에 나서고 있으나 셀 당 저장용량이 늘어나면서 셀 내의 비트 정보간 간섭현상을 해결하는 것이 최대의 난제로 꼽히고 있다.