하이닉스, 美 그란디스와 STT램 공동개발(상보)

연구인력 공동 투입...차세대 메모리 기술 조기 확보

하이닉스반도체가 2일 차세대 메모리 STT램의 기술 개발 업체인 미국 그란디스(Grandis Inc.)와 ‘STT램’ 기술에 대한 라이선스 및 공동 개발 계약을 체결했다.

이번 계약에 따라 하이닉스 는 그란디스로부터 STT램에 대한 기술 라이선스를 취득했으며 앞으로 두 회사는 연구 인력을 공동 투입해 제품 개발에 협력키로 했다.

그란디스는 2002년 미국 캘리포니아 실리콘밸리에 설립된 회사로 차세대 메모리 기술 중 하나인 STT램 개발의 선두 업체다. 현재 캘리포니아 및 일본에 연구소를 두고 있으며 관련 특허를 다수 보유하고 있다.

STT램(Spin-Transfer Torque RAM)은 자기적 성질을 이용한 차세대 메모리로 D램과 낸드플래시의 장점을 고루 갖춘 메모리 솔루션이다. 전력 공급 없이도 정보를 보관하는 비휘발성 메모리로 무제한에 가까운 반복 기록 및 재생이 가능할 뿐만 아니라 D램 이상의 고용량을 구현할 수 있는 것이 특징이다.

주요 메모리들보다 소비 전력이 낮고 D램보다 속도가 빠른 S램 수준의 초고속 동작이 가능해 다양한 어플리케이션에 적용이 가능하다. 또 내성이 매우 강해 데이터가 손상되지 않는 등 안정성 측면에서도 최고 수준을 갖춘 기술이다.

STT램은 특히 기존 메모리 제품의 기술적, 물리적 한계로 여겨지는 40나노미터 이하에서도 집적이 가능한 차세대 메모리로 평가 받고 있다. 2012년경부터 본격적인 시장이 형성될 것으로 예상되며 초기에는 모바일 어플리케이션에 사용되는 노어플래시를 대체할 것으로 보인다. 중장기적으로는 D램까지도 대체할 수 있을 것이란 전망이다.

하이닉스는 이 분야에서 선도적 위치를 점하고 있는 그란디스로부터 국내 최초로 기술 도입 및 공동 기술 개발 계약을 체결함으로써 차세대 메모리 기술의 조기 확보 및 향후의 시장 선점 가능성을 한층 높이게 됐다고 밝혔다.


하이닉스는 또 P램 및 Z램 등과 함께 다양한 차세대 메모리 기술의 라인업을 구축함에 따라 향후 시장 주도 제품의 변화에도 한층 더 유연한 대응력을 확보할 수 있게 됐다고 설명했다.

한편 이번 계약과는 별도로 하이닉스는 지난해 말부터 시작된 지식경제부 주관의 '차세대 테라비트급 비휘발성 메모리 개발'의 2단계 사업의 일환으로 지난 1월 삼성전자와도 STT램 공동개발을 추진키로 한 바 있다.



국가 R&D 사업인 이 프로젝트는 하이닉스가 도입키로 한 그란디스의 기술과 동작원리는 같지만 데이터 저장 장소를 구현하는 방식에는 차이가 있어 독립적인 개발 과제로 진행될 예정이다.