하이닉스 “D램 중국 생산비중 높인다”

D램 60% 이상 중국서 생산... 프로모스 더하면 중화권 물량 70% 이를 것

하이닉스가 중국사업장에서 전체 D램 생산의 60% 이상을 생산키로 하는 등 중국을 D램 생산의 중추기지로 만든다.

하이닉스 반도체는 올해 중국 우시 공장 증설에 2조원을 투입할 계획이라고 5일 밝혔다.

하이닉스 고위관계자는 “중국사업장 내 12인치(300㎜) 웨이퍼(반도체 원판)를 다루는 공장인 C2라인에 다소 가변적이기는 하지만 연내 2조원 가량을 투입할 것”이라며 “대부분 투자가 상반기 중 이뤄질 것”이라고 말했다.

중국 공장에 투입되는 2조원은 하이닉스가 올해 투자키로 한 3조6000억원 가운데 56%에 해당하는 금액이다. 나머지 1조6000억원은 올해 3/4분기 양산 가동을 목표로 충북 청주에 건설 중인 낸드플래시 전용 12인치 공장인 M11라인에 대부분 투입될 예정이다.

그는 “이번 증설로 D램만을 생산하는 C2라인은 기존 월 9만∼10만장에서 12만∼13만장으로 30% 가량 물량이 늘어날 것”이라며 “증설된 C2라인은 올해 2/4분기 내 가동에 들어갈 것”이라고 밝혔다.

하이닉스는 각각 12인치와 8인치(200㎜) 공장인 경기 이천 M10라인과 M7라인에서 현재 D램을 주력으로 생산하고 있다. 하지만 지난해 상반기까지 D램만을 생산했던 M10라인에서 현재 전체 생산량(월 12만장) 가운데 42%에 해당하는 5만장 가량을 낸드플래시에 할애하고 있다.

특히 하이닉스는 올해 1/4분기 중 M10라인의 낸드플래시 물량을 6만∼7만장으로 끌어올리기로 하는 등 국내에서 낸드플래시 물량을 늘리는 한편, 상대적으로 D램 생산을 줄이는 작업을 진행하고 있다.

뿐만 아니라 현재 D램만을 생산중인 M7라인 역시 올 하반기부터 비메모리 반도체인 CMOS 이미지센서 생산을 병행키로 하는 등 하이닉스의 국내 D램 생산 비중은 지속적으로 줄어들 것으로 전망된다.


반면 하이닉스는 중국 C2라인 증설에 이어, 올 하반기 중 8인치 설비를 매각하고 가동을 중단할 예정인 중국 C1라인 역시 연말부터 12인치 설비 투자를 집행키로 하는 등 중국에서 D램 생산을 본격화할 계획이다.

이에 따라 현재 하이닉스 전체 D램 생산량의 40∼50%를 차지하고 있는 중국사업장에서 올 하반기 중 전체 D램 가운데 60% 이상을 생산함으로써, 중국이 하이닉스의 D램 생산 중추기지가 될 전망이다.



여기에 대만 프로모스 위탁생산(파운드리) 물량까지 추가되면 전체 D램 생산량 가운데 70% 상당을 중화권에서 생산케 될 것으로 예상된다.

하이닉스 중국 우시 공장 C2 라인 조감도