20일 D램 전자상거래사이트인 대만 D램 익스체인지에 따르면 D램 1Gb 현물 가격은 2.10 달러로 2달러 위로 올라섰다. 1Gb 가격이 2달러를 회복한 것은 지난해 12월20일 이후 한달여 만이다. 512Mb 현물가격도 17일 종가기준으로 1달러를 회복한 후 18일에는 1.04 달러까지 상승했다. 지난해 11월23일 1달러가 붕괴된지 2달여 만이다.
대만 프로모스가 올해 춘절을 기해 10일간 감산하겠다는 발표와 엘피다가 신규 라인의 장비 반입을 무기한 연기하는 등 D램 제조업체들이 생산을 줄일 움직임을 보인데 따른 것으로 분석된다. 업계 관계자는 "대만 프로모스가 512Mb 제품을 주로 생산하는 라인을 일시 중단한다는 소식 등으로 현물가격이 반등한 것으로 보인다"고 분석했다.
한편 512Mb 제품 가격이 반등하면서 1Gb 제품 1개 가격이 512Mb 제품 2개 가격보다 싸지는 비트크로스(Bit Cross)가 발생했다.
실제로 현물가격에 앞서 고정거래가격은 이미 비트크로스 상태에 진입한 상태다. D램 익스체인지가 지난 8일 발표한 1월 상반월 고정거래가격은 512Mb 가격이 0.88 달러, 1Gb 가격이 1.75 달러로 512Mb 2개 가격이 1Gb 1개 가격보다 높았다.
비트크로스가 본격화되면 삼성전자와 하이닉스 등 국내 D램 제조업체들이 가장 큰 수혜를 볼 전망이다. 삼성전자와 하이닉스 등은 1Gb 제품의 비중이 대만이나 일본, 미국, 유럽 업체들보다 높아, 시장 주도권이 1Gb D램으로 전환할 경우 국내 업체들이 시장 주도권을 잡을 수 있기 때문이다.
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하이닉스 (157,100원 ▲4,300 +2.81%) 관계자는 "현재 1Gb 제품의 생산 비중이 40% 이상이다"며 "기술에서 외국 업체들에 비해 앞서 66나노 미세회로 공정으로 이를 양산하고 있어 주력 제품이 1Gb로 전환할 경우 타 외국업체들보다는 유리하다"고 말했다.
삼성전자 관계자도 "현재 68나노 미세회로 공정을 적용한 1Gb의 비중이 40% 중반 수준으로 1분기 중으로 그 비중을 50% 이상으로 늘리고, 미세회로 공정도 56나노로 전환해 시장 지배력을 더욱 강화할 계획"이라고 말했다.
이에 반해 경쟁 외국 업체들의 경우 70나노 수준의 512Mb 제품에 주력하는 경우가 많아 시장 주도권이 1Gb로 넘어갈 경우 D램 시장에서의 한국 업체들의 입지가 더욱 강화될 전망이다.
특히 대만 업체들을 중심으로 감산 움직임을 보이고 있어 512Mb D램의 물량이 줄어들면서 가격이 상승할 것으로 예상돼, 1Gb로의 주력전환은 더욱 가속화될 가능성이 높다는 게 전문가들의 분석이다.