삼성電, 차세대 P램 시장 선도한다

내년 2H 65나노급 1Gb P램 신제품 출시 계획..양산시점은 전략적으로 결정

삼성전자 가 내년 하반기쯤 차세대 반도체의 선두주자로 꼽히는 P램 신제품을 내놓는다. 이를 통해 앞으로 1, 2년 내 상용화가 진행될 것으로 예상되는 차세대 메모리 시장의 주도권을 공고히 다진다는 방침이다.

삼성전자 홍완훈 반도체 총괄 상무는 지난 12일 서울 여의도에서 열린 3분기 실적발표회장에서 "내년 하반기에 65나노급 공정을 도입해 P램을 개발할 계획"이라고 밝혔다.

▲ 삼성전자가 지난해 개발한 512Mb P램.

P램은 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 플래시메모리의 특성을 그대로 유지하면서도, 데이터 처리속도가 플래시보다 월등히 빠르고 용량 확대가 용이하다는 장점을 갖추고 있다.

삼성전자는 앞서 지난 2005년 업계 최초로 256메가비트(Mb) P램 제품을 개발한 데 이어 지난해 9월에는 90나노 공정, 512메가비트(Mb) 용량의 제품을 개발하는 등 차세대 메모리 시장을 선도하고 있다.

이 때문에 내년에 65나노 공정을 도입해 개발하는 P램은 최대 1기가비트(Gb)로 용량이 확대된 제품일 것으로 예측된다.

삼성전자는 그러나 양산 시점은 향후 시장상황을 살펴가며 결정할 방침이다. 홍 상무는 "피램은 노어플래시의 대체시장인데, 노어플래시의 상황이 좋아 양산여부는 시장동향을 봐가며 결정할 계획"이라고 설명했다.

홍 상무는 이와 관련, "현재 노어플래시 1~3위 업체들이 적자를 기록하고 있지만 삼성전자는 괜찮은 실적을 올리고 있다"고 밝혔다. 현재 노어플래시 매출에서 삼성전자에 앞서는 기업은 스팬션, 인텔, ST마이크로일렉트로닉스다.


한편 현재 P램 개발에서는 삼성전자와 인텔이 선두그룹을 형성하고 있으며, 하이닉스반도체 등이 뒤쫓고 있는 형국이다.

세계 반도체 시장 1위인 인텔과, 일본 엘피다메모리는 128Mb P램을 개발하며 차세대 메모리 개발에 박차를 가하고 있다. 독일의 메모리업체 키몬다는 올초 오브닉스와 장기 특허 계약을 맺고 P램 상용화에 적극 나섰다.



하이닉스는 앞서 지난 1일 P램 반도체 분야에 원천기술을 가진 미국 오브닉스와 특허 계약을 체결하고, 본격 진출을 선언했다. 하이닉스는 2017년까지 매출의 30% 이상을 P램 등 신규 제품군으로 채울 방침이다.