SK하이닉스 "HBM4, 일반 D램 전환율 3배 이상"

SK하이닉스가 24일 3분기 실적발표 후 진행한 컨퍼런스콜에서 "HBM4와 일반 D램의 전환율이 3배 이상으로 증가할 것"이라고 전망했다. HBM은 고성능을 구현하기 위해 일반 D램보다 다이 사이즈가 크고, 더 많은 웨이퍼가 필요하다. 다이는 둥근 웨이퍼 위에 밀집된 작은 사각형의 IC칩을 뜻한다.

SK하이닉스는 "중장기적으로 D램 수요는 연평균 10% 중후반대로 전망되지만, HBM은 D램 평균을 크게 상회한 성장이 전망된다"며 "동일 비트 생산을 위해 필요한 웨이퍼는 HBM의 세대가 올라가면서 더 많이 요구되고, 따라서 일반 D램의 공급량은 계속 제한될 것으로 예상된다"고 설명했다.