SK하이닉스는 기존 일정대로 용인 클러스터에 들어서는 첫 팹을 내년 3월 착공해 2027년 5월에 준공한다. 용인 클러스터는 용인시 원삼면 일대의 415만㎡ 규모 부지에 조성되며, 현재 정지 작업(땅을 평평하게 만드는 것)과 인프라 구축이 진행 중이다.
이사회가 승인한 투자액에는 1기 팹 외에도 부대시설과 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 건설 비용이 포함됐다. 투자 기간은 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 공사기간 등을 고려해 오는 8월부터 2028년 말까지다.
SK하이닉스는 첫 번째 팹에서 AI(인공지능) 메모리인 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 D램을 생산할 예정이며, 완공 시점의 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하겠다고 설명했다.
소부장 협력사의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 '미니팹'도 1기 팹 내부에 구축한다. 미니팹은 반도체 소부장 실증을 위해 300mm 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설이다.
김영식 SK하이닉스 부사장(제조기술담당)은 "용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께하는 혁신과 상생의 장"이라며 "대규모 산단 구축을 완수해 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 높이고, 국가경제 활성화에 기여하겠다"고 말했다.
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