11일(현지시간) 블룸버그통신은 소식통을 인용해 미국 상무부가 AI 반도체 기술에 대한 중국의 접근을 막고자 추가 제재 방안을 고려 중이며 GAA와 HBM이 제재 대상으로 논의되고 있다고 보도했다. 소식통은 "상무부가 아직 제한 범위를 논의하는 중으로 (추가 제한에 대한) 최종 결정이 언제 나올지는 불분명하다"면서도 GAA가 이번 제한 조치의 대상이 될 가능성을 시사했다. 그는 "HBM에 대한 규제 마련 여부는 불분명하다. GAA (제한) 논의가 더 진행 중"이라고 말했다.
소식통에 따르면 상무부의 산업안보국(BIS)은 최근 GAA 규제 초안을 업계 전문가로 구성된 기술자문위원회에 전달했다고 한다. 기술자문위원회의 검토는 규제 도입의 마지막 절차다. 하지만 업계 관계자들이 GAA 초안이 지나치게 광범위하다고 비판해 규제안 도입이 최종 확정되지 않았다고 블룸버그는 설명했다.
GAA는 반도체의 기존 트랜지스터 구조인 '핀펫'(FinFET) 공정보다 데이터 처리 속도와 전력효율이 높은 차세대 기술로 평가된다. 엔비디아, 인텔, AMD 등은 제조 파트너인 삼성전자와 대만 TSMC와 함께 내년 중 GAA 공정을 적용한 반도체를 대량 생산할 계획이다. 삼성전자는 앞서 3나노미터(nm·1nm=10억분의 1m)에 GAA를 최초 도입했다.
SK하이닉스, 마이크론테크놀러지 등이 생산하는 HBM은 메모리 액세스 속도를 높여 AI 가속기를 강화하는 데 도움을 주는 고성능 메모리로, AI 소프트웨어를 훈련하는 데 사용된다.
한편 조 바이든 미국 행정부는 중국이 AI 모델을 구축하고 운영하는 데 필요한 정교한 컴퓨터 시스템 조립을 더 어렵게 만들고, 아직 초기 단계인 기술이 상용화되기 전에 관련 기술에 대한 접근을 차단하는 것을 목표로 둔다. 이를 위해 이미 중국에 대한 첨단 반도체 및 제조 장비에 수출에 수많은 제재를 가했고, 추가 제재도 예고한다. 지나 러몬도 미국 상무부 장관은 앞서 중국이 AI 기술을 활용해 군사력을 키워 국제 안보를 위협할 것이라고 안보 문제를 제기하며 이를 막기 위한 더 강력한 대중국 제재에 나설 수 있다고 강조했다.
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