이날 로이터는 소식통을 인용해 "삼성전자는 지난해부터 HBM3(4세대 HBM) 및 HBM3E(5세대)에 대한 엔비디아의 테스트를 통과하려고 노력해왔다"며 "그러나 8단 및 12단 HBM 3E의 검증에 실패했다는 결과가 지난달 나왔다"고 보도했다. 이어 테스트를 통과하지 못한 이유로 "(삼성 칩에) 발열 및 전력 소비 문제가 있었다"고 밝혔다.
HBM은 D램을 수직으로 연결해 현재 D램보다 데이터를 훨씬 빨리 처리할 수 있게 만든 반도체다. 대량의 데이터를 빠르게 처리하는 인공지능(AI) 반도체의 핵심 부품으로 사용되고 있다.
삼성전자는 로이터 측에 "고객사의 요구에 따른 최적화 작업이 필요한 HBM 칩 특성상 고객과의 긴밀한 협력을 통해 제품 최적화를 진행 중"이라고 입장을 밝혔다. 그러나 엔비디아의 품질 검증에 실패했다는 보도 내용에 대해서는 즉답하지 않았다.
로이터는 "(엔비디아가 지적한) 문제가 쉽게 해결될 수 있는지는 명확하지 않다"며 "해결되지 않을 경우 투자자들 사이에선 삼성전자가 경쟁사인 SK하이닉스보다 뒤처질 수 있다는 우려가 커지고 있다"고 짚었다.
[저작권자 @머니투데이, 무단전재 및 재배포 금지]