나노씨엠에스, 전력 반도체 웨이퍼 소재 가공설비 구축 "8월 가동 목표"

나노씨엠에스는 30억원을 투자해 전력 반도체 웨이퍼 소재 가공설비 구축에 나선다고 30일 밝혔다.

회사 관계자는 "지난 17일 창립기념일 을 맞아 미래 성장동력으로 반도체 웨이퍼 소재 가공 설비 구축을 결정했다"며 "이번 프로젝트는 회사의 기술적 역량을 강화하고, 전력반도체 산업 진출에 중요한 전환점이 될 것"이라고 말했다.

이번 설비는 오는 8월 가동을 목표로 충청남도 공주시 탄천면의 제2공장에 구축된다. 구축 이후에는 연 180톤 규모의 전력 반도체 웨이퍼 소재 가공이 가능할 전망이다.

가공 소재는 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 웨이퍼에 사용된다. SiC 소재는 기존 실리콘(Si) 소재 보다 고온 안정성 및 절연파괴전계가 10배 높고, 허용 최고 전압이 3000V(볼트)로 2배 가까이 높은 장점이 있다.

이 관계자는 "웨이퍼 소재 가공 설비 가동을 기반으로 향후 전력 반도체 벨류체인에서 시장 경쟁력을 강화하고, 고객들에게는 차별화된 서비스를 제공할 것으로 기대한다"고 덧붙였다.