DB하이텍은 전력반도체 기술을 바탕으로 고부가·고성장 제품 경쟁력을 강화한다. 이번 업그레이드를 통해 게이트 드라이버 IC에서 칩 설계가 용이한 레벨 시프터(Level-Shifter) 절연방식과 고전압 동작에서 안정성이 높은 갈바닉(Galvanic) 절연방식을 동시에 사용할 수 있도록 했다. 공정 기술 개선으로 고객층이 가전 분야에서 자동차, 태양광 분야로 확장될 것으로 기대된다.
초고전압 전력반도체 공정은 가전, 자동차, 통신, 산업 등 폭넓은 분야에서 모터를 구동하는 역할을 하는 게이트 드라이버(Gate Driver) IC의 설계·제조를 지원한다. 전력반도체 IC 판매량의 8%를 차지하고 있는 게이트 드라이버 IC 시장은 지난해 2027년까지 연평균 109% 성장할 것으로 전망됨과 함께 수요가 대폭 증가할 것으로 기대되고 있다.
DB하이텍은 전영역대 전력반도체 생산 공정 기술 확보에 나선다. 내년 1월 게이트 드라이버 IC 시장에서 가장 큰 비중을 차지하는 가전분야에 최적화된 600V급 공정을 제공한다. 연내 전동킥보드·전기스쿠터용 200V급 공정과 방직기, 공업용 1200V급 공정까지 확보할 예정이다. DB하이텍 관계자는 "응용분야별로 최적화된 게이트 드라이버 IC 설계 환경을 제공할 것"이라고 말했다.
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