SK하이닉스가 세계 최초로 12단 적층 HBM3(고대역폭 메모리)를 개발했다.
SK하이닉스는 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트) HBM3신제품을 개발했고, 현재 다수 고객사에 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이라고 20일 밝혔다. HBM3는 현존 최고 성능 D램으로 평가받는다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품이다. 2013년 SK하이닉스가 세계 최초로 개발 한 후 1세대부터 4세대(HBM3)순으로 개발돼왔다.
이날 회사가 밝힌 신제품은 지난해 6월 세계 최초로 양산에 성공한 HBM3보다도 용량을 50% 높인 제품이다. 기존 HBM3의 용량은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB였다.
SK하이닉스는 이번 제품에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF와 TSV기술을 적용했다. 어드밴스드 MR-MUF 기술을 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성을 강화했고, 또 TSV 기술을 활용해 기존 대비 40% 얇은 D램 단품 칩 12개를 수직으로 쌓아 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현해 냈다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 효율성이 높고 열 방출에도 효과적인 공정으로 평가받는다.
TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징 기술이다.
SK하이닉스는 "최근 AI 챗봇(인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 밝혔다.
홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 "당사는 세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발했다"며 "상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다"고 말했다.
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