SK하이닉스 "설비투자 축소, 테크 경쟁력과는 관계 없다"

SK하이닉스 /사진=뉴스1

SK하이닉스가 1일 지난해 4분기 실적발표 후 이어진 컨퍼런스콜(전화회의)에서 "올해 중 238단 낸드플래시 1Tb(테라바이트) 기반 제품을 선보인다"고 밝혔다.

238단 낸드 1Tb는 SK하이닉스가 지난해 8월 선보였던 238단 낸드 512Gb(기가바이트) 기반 제품보다 넷다이 효율성이 약 50% 높아진다. 넷다이(Net Die, 웨이퍼당 생산가능한 칩 수)를 늘리면 동일한 장비와 재료, 공정으로 더 많은 칩을 생산할 수 있어 웨이퍼당 판매가가 높아져 수익이 증가한다.

설비투자 축소로 인해 미래 경쟁력이 떨어지는 것 아니냐는 질문에는 "생산량 증가에 영향을 일부 미치는 것이지, 어떤 선단 테크 비중에는 큰 변화가 없다"고 답했다. SK하이닉스는 "이미 1a나노 D램과 176단 낸드플래시 기반 주력 제품은 성숙 수율에 도달했고, 차세대 1b나노 D램과 238단 낸드플래시 개발과 초기 양산에 필요한 설비투자는 차질없이 집행한다"고 덧붙였다.