'Samsung @ The Heart of Everything(모든 것의 중심에 있는 삼성)'이라는 주제로 지난해에 이어 두 번째로 개최된 이 행사에는 글로벌 IT업체와 미디어, 애널리스트, 테크(Tech) 파워 블로거 등 500여명이 참석했다. 삼성전자 미주 지역총괄 최주선 부사장과 메모리 D램 개발실 장성진 부사장, 플래시 개발실 경계현 부사장, 솔루션 개발실 정재헌 부사장 및 상품기획팀 한진만 전무, 글로벌 IT 업계 주요 인사, 그리고 개발자들이 참석해 최신 반도체 시장의 흐름과 첨단기술 트렌드를 공유했다.
삼성전자는 이날 메모리에서 △세계최초 256GB(기가바이트) 3DS(Dimensional stacking) RDIMM △기업용 7.68TB(테라바이트) 4비트(QLC) 서버 SSD △6세대 V낸드 기술 △2세대 Z-SSD 등 신제품과 신기술을 대거 공개했다.
이날 세계 최초로 공개된 256GB 3DS RDIMM은 차세대 초고성능·초고용량 '실시간분석(Real Time Analysis)' 및 '인메모리 데이터베이스' 플랫폼 개발에 최적화된 D램 솔루션이다. 삼성전자가 지난해 양산을 시작한 업계 최대 용량의 10나노급 16Gb(기가비트) DDR4 D램을 탑재해 기본 128GB RDIMM 대비 용량이 2배 확대되고 소비전력 효율은 30% 개선됐다.
장성진 메모리 D램 개발실 부사장은 "지난해 업계 최초로 개발한 2세대 10나노급(1y) D램 기술로 초격차 제품 경쟁력을 강화한 데 이어 업계 최초 256GB RDIMM을 양산해 차세대 프리미엄 라인업의 양산 체제를 업계서 유일하게 구축했다"며 "향후 EUV(극자외선) 공정 기반 차세대 D램을 선행 개발해 초고속 초고용량 D램의 시장 수요를 지속 확대해 사업 위상을 높여 나가겠다"고 강조했다.
삼성전자는 또 엔터프라이즈 스토리지향 7.68TB 4비트(QLC) 서버 SSD를 공개하며 지난 8월 업계 최초로 출시한 소비자향 4TB 4비트 PC SSD 모델에 이어 기업용 SSD시장까지 4비트 V낸드 제품의 사업 범위를 확대했다. 성능을 대폭 높인 512Gb 4비트 V낸드와 읽기 속도 향상은 물론이고 MLC(2비트, Multi Level Cell) 설계를 통해 용량을 2배 늘린 2세대 Z-NAND(SLC 128Gb, MLC 256Gb) 등 미래 낸드 기술의 개발 방향을 제시했다.
이날 행사에서는 'Futurum Research'의 수석 분석가 다니엘 뉴먼이 '산업의 변화(Transformation of our Industry)'를 주제로 기조연설을 맡았으며, 이후 '삼성 테크놀로지 리더십'과 '에코-빌드/파트너십' 두 가지 테마로 진행됐다. 또 애플 공동 창업자 스티브 워즈니악강연과 마이크로소프트, 자이링스, 휴렛 팩커드 엔터프라이즈, 브이엠웨어 주요 인사들이 참여하는 패널 토론도 진행됐다.
최주선 삼성전자 미주 지역총괄 부사장은 개회사를 통해 "빅데이터 분석과 AI 기술이 본격 확산되면서 차세대 IT 시장도 고객 가치를 높일 수 있도록 혁신적으로 변화하고 있다"며 "글로벌 IT 시장을 선도하는 고객들에게 반도체 기술 발전의 가능성과 차세대 제품을 공개하게 되어 매우 기쁘다"고 말했다.
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