25일 반도체 및 장비업계에 따르면 삼성전자는 올해 반도체 분야에 약 15조원 안팎을 투자, 반도체 생산량을 12인치(300mm) 웨이퍼 기준으로 월 12만장 이상 확대할 것으로 전망된다.
삼성전자의 지난해말 기준 반도체 총생산량이 월 80만장 수준인 점을 고려하면 올해 수치상으로 15% 이상 생산량이 증가하는 것이다. 반도체 회로선폭 미세화에 따른 ‘비트그로스’(반도체 개수가 아니라 비트 단위로 환산한 D램 생산량 증가율)까지 감안하면 증산량은 더 늘어나게 된다.
삼성전자는 우선 D램에서만 올해 전체 증산물량의 50% 이상인 월 6만5000장을 추가한다는 계획이다. 이럴 경우 D램 생산량을 기존 월 40만장에서 46만5000장 수준까지 16% 가량 늘어난다.
D램 증설은 최근 준공한 경기 화성 신공장(17라인)에서 최첨단 20나노미터(㎚) 공정으로 진행될 예정이다. 삼성전자는 지난해말부터 17라인에 쓰일 장비를 발주하기 시작했고, 올 하반기 양산을 통해 증설효과를 볼 것으로 예상된다.
낸드플래시의 경우 중국 시안사업장에서 증설을 진행한다. 삼성전자는 지난해 시안사업장에 3차원(3D) 공정을 적용한 'V낸드' 제품을 월 4만장 규모로 생산할 수 있는 설비를 갖추고 양산에 착수했다. 올해는 월 3만장을 추가, 시안사업장 생산량을 연내 월 7만장 수준으로 끌어올린다는 계획이다. 이럴 경우 낸드플래시 생산량은 기존 월 30만장에 비해 10% 가량 늘어난다. 삼성전자는 낸드플래시 증설에 쓰일 장비를 이달들어 본격 발주하고 있다.
삼성전자는 아울러 올 하반기 시스템반도체(비메모리반도체) 증설에도 나선다. 미국 텍사스 오스틴사업장에서 스마트폰의 두뇌 역할을 하는 '애플리케이션프로세서'(AP)를 최첨단 14나노미터 핀펫(FinFET) 공정으로 월 2만6000장 정도를 추가 생산할 계획이다. 오스틴사업장 외에 경기 기흥 S1라인 등에서 양산중인 시스템반도체 생산량은 올해 기존 월 10만장 수준보다 26% 확대된다. 다만 14나노미터 핀펫 양산 효율 등을 감안해 투자시기는 내년 초로 넘어갈 가능성도 제기된다.
삼성전자가 이처럼 올해 국내를 비롯해 중국, 미국 등에서 전방위적으로 반도체 생산량을 증대하면서 반도체 투자규모는 15조원 안팎으로 사상 최대를 기록할 것으로 관련업계는 전망하고 있다.
삼성전자는 이를 통해 전세계 반도체, 특히 D램을 포함한 메모리반도체 분야에서 확보한 리더십을 다진다는 전략이다. 시장조사업체 IHS아이서플라이에 따르면 삼성전자는 지난해 3분기 기준 D램 시장점유율 43.2%, 낸드플래시 시장점유율로 38.2%로 업계 1위 자리를 이어가고 있다.
삼성전자는 이와 관련, "반도체 생산량은 영업기밀로 공개가 어렵다"며 "다만 반도체 회로선폭 미세화 기술 진화로 생산량이 증가할 가능성은 높다"고 밝혔다.
한편 삼성전자가 올해 반도체분야에서 전방위적인 투자에 나설 경우 유진테크, 원익IPS, 테스(TES), 피에스케이, 케이씨텍, 글로벌스탠다드테크놀로지(GST), 엘오티베큠, 로체시스템즈, 에프에스티, 테라세미콘, AP시스템 등 전공정 장비 업체들이 수혜를 볼 것으로 기대된다.
삼성전자가 시안사업장에 반도체를 조립·검사하는 후공정 투자도 병행하면서 한미반도체, 디아이, 에이티테크놀러지, 인텍플러스 등 후공정 장비 업체들도 제품을 수주할 것으로 예상된다.
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