권오철 하이닉스 사장 "30나노 D램 진입"

(종합)4Q와 1Q 실적 "나쁘지 않을 것"…내년 투자 "올해 수준"

하이닉스가 최첨단 30나노대 공정 D램 메모리반도체 분야에 진입하면서 향후 수익성 확보에 청신호가 켜졌다.

권오철 하이닉스반도체 사장(사진)은 23일 서울 삼성동 그랜드인터콘티넨탈에서 열린 '대·중소기업 동반성장을 위한 반도체펀드 협약식'에서 "30나노대 공정 D램 개발을 최근 완료했다. 내년 1분기부터 양산에 들어갈 것이다."라고 밝혔다.

30나노대 공정은 기존 40나노대 공정보다 단위 원판(웨이퍼)에서 생산되는 반도체 개수를 60% 가량 늘릴 수 있어, 생산성 향상으로 인한 가격경쟁력을 확보하는데 유리하다. 하이닉스가 내년 1분기에 양산하게 될 30나노대 공정은 삼성전자가 올해 7월 세계 최초로 양산에 들어간 38나노공정과 동일한 제조공정으로 확인됐다.

권 사장은 최근 주력 D램(DDR3) 가격이 1달러 이하로 떨어진 데 대해 "생각보다 많이 떨어졌다. 내년 상반기 저점을 확인하는 전기가 있길 바란다"고 말했다. 그는 4분기와 내년 1분기 실적 전망을 묻자 "D램 가격이 많이 떨어져 직전 분기 대비 큰 폭의 이익 감소가 불가피하다. 하지만 아주 나쁘지는 않을 것이다."라고 밝혔다.

그는 이어 "해외 경쟁사들이 (50나노대 공정에서) 제조원가 이하로 D램을 생산하고 있어 내년 1분기에는 가격이 큰 폭으로 하락하지는 않을 것"이라며 "현 상태가 이어지면 내년 1분기 실적도 나쁘지는 않을 것"이라고 내다봤다.

그는 내년 투자를 묻는 질문에 "아직 확정 못했다. 올해 투자(3조3800억)를 기준으로 상하로 조정 중이다. 이제 연간 기준 투자는 중요치 않다. 시황에 따라 시나리오대로 결정할 것이다"라고 답했다.

그는 일본 도시바가 최근 낸드플래시 생산에 차질을 빚고 있는데 대해 "낸드플래시 업계에 영향이 상당히 있으며, 그 때문에 최근 낸드플래시 가격이 올라가고 있다. 수익성에 긍정적인 영향을 줄 것이다"라고 밝혔다.

그는 최근 비메모리반도체 사업이 본궤도에 오른데 대해 "충북 청주 M8 공장을 활용해 메모리반도체 역량을 바탕으로 한 일부 비메모리사업에 선택과 집중을 하게 될 것"이라고 덧붙였다.