매년 구형 장비를 신형 장비로 교체하는 등의 보완 투자는 해왔으나 라인을 통째로 다시 설치하는 증설 투자는 3년만에 처음이다. 삼성전자가 향후 반도체 경기를 긍정적으로 판단한 것으로 보여 주목된다.
삼성전자 관계자는 16일 "경기 화성 10라인을 기존 8인치 원판 공정에서 12인치 공정으로 전환하기 위해 국내외 장비기업들에 발주를 시작했다"고 밝혔다. 화성 10라인에 내년 상반기부터 순차적으로 장비를 반입하고 시험생산 과정을 거쳐 내년 하반기에 양산체제로 전환할 예정이다. 8인치 공정인 10라인은 올해초 채산성이 크게 떨어진다는 이유로 가동이 중단된 바 있다.
이 관계자는 "11, 12, 13, 15라인 등 화성 내 다른 12인치 라인에서 물량이 넘쳐 소화하지 못하는 일부 공정을 10라인이 대행하도록 하는 '엔드팹(END FAB)'으로 활용할 계획"이라고 덧붙였다. 엔드팹은 반도체 제조라인에서 여러 공정 가운데 과잉(보틀넥)이 이뤄지는 일부 지점에서의 생산을 이원화함으로써 생산의 효율성을 높이기 위해 별도로 마련한 제조라인이다. 10라인이 엔드팹으로 활용되더라도 투자규모는 1조 원 이상이 될 전망이다.
또 10라인은 12인치 원판으로 D램을 생산 중인 11라인과 같은 건물에 있으며 규모 역시 11라인과 동일하다. 때문에 11라인이 월 10만 장(12인치 원판 기준) 이상 D램을 생산할 수 있다는 점을 감안하면, 10라인 총 투자액은 중장기적으로 최대 4조 원까지 갈 전망이다. D램을 월 4만∼5만 장 생산하는데 필요한 투자액은 2조 원가량이다.
삼성전자는 지난 3년 가량 단일 제조라인에 대한 신증설 투자를 하지 않았다. 지난 2006년 화성 11라인의 12인치 전환 투자 및 미국 텍사스 오스틴 12인치 라인 신설 투자 등 조 단위 투자를 단행하고 2007년 하반기부터 양산해왔다.
때문에 삼성전자의 이번 10라인 증설 투자는 12인치 공정 전환 투자라 할지라도 단일 라인에 대한 조 단위 신증설 투자가 3년 여 만에 이뤄졌다는 점에서 의미가 있는 것으로 평가되고 있다. 삼성전자가 10라인 투자를 단행한 것은 최근 D램과 낸드플래시 수요 급증으로 판가가 상승한데 따른 것으로 분석된다.
한편 삼성전자는 메모리반도체를 생산할 경우 채산성이 크게 떨어지는 8인치 공정인 10라인 가동을 올해 초 중단한데 이어 같은 이유로 미국 오스틴 D램 라인 역시 다음 달 가동을 중단할 예정이다. 12인치 공정으로 반도체를 생산할 경우 8인치에 비해 단일 원판에서 생산되는 물량이 이론상 125%가량 늘어난다.
삼성전자가 조 단위 반도체 투자에 본격 나선 데 따라 세메스 AP시스템 테스 아이피에스 아토 유진테크 피에스케이 에버테크노 국제엘렉트릭 등 장비협력사들의 수혜가 점쳐진다.
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