DDR3 수요급증…삼성, 생산목표 상향

40나노급 생산 늘려 연말 DDR3 생산비중 50% 이상으로

반도체 D램 시장이 차세대 주력 제품인 DDR3를 중심으로 빠르고 재편되고 있다.

인텔이 내놓은 DDR3 채용 서버용 CPU가 폭발적인 수요를 일으키는 등 'DDR3'만을 채용한 제품의 출시와 판매가 확대되고 있다. 수요가 급증하면서 삼성전자가 연말까지 전체 D램 중 DDR3 생산 비중을 40~50%에서 50% 이상까지 높이기로 하는 등 업계의 대응도 빨라지고 있다.

24일 관련업계에 따르면 삼성전자는 지난 7월 말 처음 양산이 들어간 2Gb(기가비트) 용량 등 40나노급 DDR3 D램을 조기에 증산해 올해 전체 D램 생산 물량에서 차지하는 생산 비중을 연말까지 10% 이상으로 늘리기로 했다. 이에 따라 60나노급, 50나노급을 포함한 전체 DDR3 생산 비중도 전제 D램의 50% 이상으로 늘어난다. 그동안 삼성전자의 연말 기준 DDR3 비중 목표치는 40~50% 수준으로 알려졌다. 40나노급으로 DDR3를 생산하면 50나노급에 비해 생산성이 60% 높아져 물량이 늘어나게 된다.

삼성전자가 40나노급 생산 비중을 빠르게 늘려가는 데는 DDR3 수요 증가와 함께 저전력 특성이 중요한 서버용 메모리 수요가 크게 늘어나고 있는 것도 영향을 미쳤다. 40나노급 DDR3는 기존 50나노급 DDR3 제품에 비해 소비전력을 40% 가량 더 줄일 수 있다.

4분기 중 44나노 DDR3 양산에 들어가는 하이닉스반도체도 연말까지 DDR3 생산 비중을 40~50%까지 늘릴 예정이다.

업계 1,2위인 삼성전자와 하이닉스가 예정대로 DDR3 생산 비중을 높일 경우 올해 연말 이후로는 DDR3가 DDR2를 제치고 시장의 주력 제품으로 떠오를 전망이다.

DDR3는 낮은 전력소모, 빠른 동작속도, 큰 용량을 특징으로 하는 제품이다. 동작 전압은 DDR2 1.8V 대비 낮은 1.5/1.35V로 전력소모가 30% 이상 감소된다. 동작 속도는 800M~1600Mbps, 지원 용량은 512M~8Gb로 각각 DDR2의 2배 수준이다.

DDR3 수요가 급속히 늘어나고 있는 것은 DDR3만을 채용하는 제품들이 잇따라 출시되고 있는 데다 시장 반응도 좋기 있기 때문이다.

컴퓨터 시장 트렌드를 주도하는 CPU업체 인텔은 올해 하반기부터 출시하는 모든 데스크톱과 노트북에 DDR3만을 채용한 플랫폼을 채택하기로 했고 서버용은 이미 지난해 연말부터 DDR3 채용 제품만 내놓고 있다. 다른 CPU업체인 AMD도 내년 초부터는 서버, 상반기부터는 노트북 CPU 신제품에 모두 DDR3를 채용키로 했다.

특히 DDR3만을 채용하는 인텔의 네할렘 아기텍쳐 기반 CPU는 서버 시장 등을 중심으로 폭발적인 반응을 얻고 있다.

송종호 대우증권 애널리스트는 "인텔의 네할렘 아기텍쳐 기반 서버용 CPU인 Xeon5500를 채택한 서버는 기존 서버에 비해 비용은 절반으로 줄고, 성능은 70% 이상 좋아진다"며 "Xeon5500이 올 3월 출시된 이후 2분기 중반을 지나며 DDR3 수요 증가 속도가 예상보다 빠른 가장 큰 이유"라고 말했다.

인텔이 하반기 역점을 두고 있는 소비자용 초저전력 프로세서(CULV, Consumer Ultra-Low Voltage) 프로세스도 DDR3 수요 증가에 기여할 것으로 보인다. CULV를 쓰면 배터리 사용시간이 길어지고, 칩의 크기가 작고 열을 식히기 위한 팬이 필요 없어서 제품을 훨씬 얇게 만들 수 있다. 메모리는 고속, 저전력의 DDR3를 채택하고 있다. 인텔은 CULV를 올 4분기 노트북 수요의 30%까지 끌어올릴 계획이다.

이 같은 DDR3 시장의 급속한 성장은 삼성전자와 하이닉스 등 국내 업체들에 긍정적으로 작용하고 있다. 두 회사가 경쟁력 있는 50나노 이상의 DDR3 생산을 주도하고 있고 일부 공급 부족이 나타나는 등 수급 상황이 좋기 때문이다.

다른 해외 D램 업체들도 생산 비중을 늘리는데 주력하고 있지만 공정이나 생산 비중 등에서 많이 뒤쳐진 상태다. 대우증권은 미국 마이크론과 일본 엘피다의 DDR3 생산 비중을 3분기 기준으로 각각 15%로 추정했다. 이 같은 비중은 삼성전자나 하이닉스의 절반 정도 비중이다. 생산 공정도 모두 60나노급 이상으로 알려져 있다.

업계 관계자는 "60나노 이상에서 DDR3를 생산할 경우 칩 크기가 DDR2보다 커지는 다이 패널티(Die Penalty)가 발생해 생산량이 작아진다"며 "50나노 이하 공정으로 생산해야 경쟁력 있는 DDR3를 생산할 수 있다"고 말했다.