매출 역시 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체 판가 상승으로 전분기보다 28% 오른 1조6760억원을 기록했다.
하이닉스 측은 "D램은 직전분기보다 출하량과 평균판가가 각각 10%와 20% 상승했으며, 낸드플래시 역시 출하량과 평균판가가 각각 40%와 23% 오르면서 수익성이 대폭 개선됐다"고 설명했다.
하이닉스는 지난해 4/4분기와 올해 1/4분기 각각 8020억원과 5150억원 규모 영업적자를 낸 데 이어, 생산성 향상에 따른 원가절감과 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체 가격 상승 등 영향으로 2/4분기에 2110억원으로 적자폭을 대폭 낮추면서 연내 분기 기준 흑자전환 가능성을 한층 높였다.
하이닉스는 올 하반기 생산성 향상을 위해 중국 우시 합작법인 내 고부가가치 54나노공정 D램 생산 비중을 늘리는 등 하이닉스 전체 공정 중 50나노급 공정 비중을 현재 30%에서 연말 기준 50%로 늘리기 위한 설비 투자를 진행하고 있다.
또 차세대 D램인 DDR3 비중을 연말까지 40% 이상으로 늘리는 한편, 2/4분기 전체 D램 매출의 55%를 차지한 모바일 그래픽 컨슈머 서버용D램 등 고부가가치 제품군 출하량도 늘릴 계획이다.
하이닉스 관계자는 "차세대 연구개발 및 비용절감 등 기술과 원가경쟁력 강화에 주력하고, 모바일 그래픽 서버용 D램 등 고부가가치 제품 비중을 대폭 높여 수익성 향상을 위해 노력했다"며 "현 추세라면 연내 분기 기준 흑자 전환이 가능할 것"이라고 말했다.
그는 "D램의 경우 현재 전체 D램 물량의 30% 수준인 54나노공정에 이어 3/4분기 말쯤 최첨단 44나노공정 제품을 본격 양산해 후발업체와의 격차를 확대할 것"이라며 "낸드플래시는 41나노공정 제품을 5월부터 양산하기 시작해 시장 수요에 적극 대응하고 있으며, 32나노공정 제품 개발도 앞당길 것"이라고 말했다.
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