BNP파리바는 7일 1분기 D램 생산 웨이퍼 생산능력이 지난해 3분기 정점에 비해 20% 감소했고 2분기에는 34%까지 감소할 것이라고 전망했다. BNP파리바는 이어 올해와 내년 극도로 위축된 투자로 인해 2010년과 2011년 D램 시장이 강세를 보일 것이라며 올해 하반기가 이같은 사이클의 시작이 될 것이라고 밝혔다.
BNP파리바는 이어 하이닉스는 M11 라인에서 48나노 16기가비트(Gb) 낸드플래시를 생산하고 있으며 2분기부터는 41나노 공정으로 양산을 시작한다며 빠르게 성장하고 있는 MCP(멀티칩패키지) 사업이 하이닉스에 높은 성장 기회를 제공하게 될 것이라고 전망했다.
BNP파리바는 특히 메모리 사업이 3분기부터는 흑자를 낼 가능성 있고 원달러 환율의 하락은 외화 부채의 환산손실을 감소시킬 것이라고 강조했다.
BNP파리바는 이어 하이닉스의 자기자본이익률(ROE)가 2010년 33.9%까지 급상승할 것이라고 덧붙였다.
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