삼성-하이닉스, 200㎜ 메모리공장 종말(?)

머니투데이 강경래 기자 | 2009.02.05 10:05

삼성 순수 200㎜ 메모리라인 3곳만 남아...하이닉스는 모두 정리

'반도체 200㎜ 라인의 종말(?)'

삼성전자하이닉스 등 반도체 기업들이 300㎜(12인치) 라인에 비해 채산성이 크게 떨어지는 200㎜(8인치) 공장에 대한 구조조정에 나서면서 머지않아 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체를 생산하는 200㎜ 공장이 역사의 뒤안길로 사라질 전망이다.

5일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 다음달까지 D램을 생산하는 200㎜ 공장인 경기 화성 10라인 가동을 중단할 계획이다.

삼성전자 관계자는 "현재 10라인에 극소수의 반도체 원판(웨이퍼)만을 투입하고 있으며, 다음 달이면 모든 설비 가동이 중단될 것"이라고 말했다.

삼성전자는 국내에 3∼4라인 등 150㎜(6인치) 라인 2곳과 5∼10라인 등 200㎜ 라인 6곳, 11∼15라인과 S라인 등 300㎜(12인치) 라인 6곳을 각각 두고 있다.

삼성전자는 현재 7∼10라인 등 4개 200㎜ 라인에서 메모리를 생산하지만, 지난해부터 7라인에서 비메모리를 일부 생산하기 시작한데 이어 다음달 10라인 가동을 중단하면 순수 메모리만 생산하는 곳은 8∼9라인 등 2곳으로 줄어든다. 미국 오스틴 200㎜ 라인까지 포함하면 총 3곳이다.

하이닉스 역시 지난해 5곳이었던 200㎜ 메모리 라인을 현재 1곳만 운영하고 있다.


하이닉스는 지난해 8월 미국 유진 E1라인을 중단한 데 이어 9월 충북 청주 M9라인과 경기 이천 M7라인 가동을 중단하는 등 200㎜ 라인을 잇달아 정리했다. 하이닉스는 지난해 12월 중국 C1라인 가동 역시 중단하면서 현재 200㎜ 라인은 청주 M8라인 1곳만 남아있다.

하이닉스는 낸드플래시 전용이었던 M8 라인마저도 현재 낸드플래시 이외에 이미지센서 등 비메모리 위탁생산(파운드리)에 할애하고 있어, 순수 200㎜ 메모리 라인은 한곳도 없다.

이같이 메모리를 생산하는 200㎜ 라인이 발 빠르게 정리되는 이유는 300㎜ 라인에 비해 채산성이 크게 떨어지기 때문이다. 일반적으로 300㎜ 공정으로 반도체를 생산할 경우 200㎜ 공정에 비해 단일 원판에서 생산되는 반도체 물량이 2.5배 정도 늘어난다.

때문에 삼성전자와 하이닉스를 비롯한 메모리 제조사들이 200㎜ 라인을 매각해 300㎜ 라인을 추가로 건설하기 위한 자금을 확보하는 한편, 200㎜ 라인 자체를 300㎜ 공정으로 전환하거나 비메모리 생산에 할애하는 등 방법으로 200㎜ 구조조정에 박차를 가하는 모습이다.

업계 한 관계자는 "200㎜ 라인은 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체를 생산하는데 있어 채산성의 한계에 이르렀다"며 "향후 1∼2년 내 메모리 생산을 위한 200㎜ 라인이 대부분 사라질 것"이라고 말했다.

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