삼성전자 "내년 DDR3가 주력될 것"

삼성테크포럼-메모리 부문

삼선전자는 내년 D램 반도체 시장에서 DDR3가 주력으로 등장할 것이라고 전망했다.

삼성전자는 8일(현지시간) 미국 샌프란시스코에서 열린 '삼성테크포럼'에서 이같이 밝혔다.

삼성전자는 "DDR3는 지난해 2분기에 데스크톱에 들어가기 시작했고, 2008년 3월부터 노트북에, 내년 1월부터는 서버에도 들어가게 될 것"이라며 "DDR3 시장 규모가 내년 말에는 DDR2를 추월할 것"이라고 내다봤다. 다만 DDR2도 내년까지는 상당한 점유율을 유지할 것이라고 덧붙였다.

삼성전자는 또 DDR2와 DDR3 제조공정에서 공격적인 기술 전환을 통해 비용 절감을 선도하고 있다고 밝혔다.

삼성전자는 "올해 56나노미터 공정 적용에 이어 내년에는 40나노미터대 기술이 적용될 것"이라며 "56나노미터 기술 도입으로 DDR3와 DDR2 제품간의 제조비용 차이가 빠르게 줄어들어 내년 DDR3 시장 확장을 촉진하는 계기가 될 것"이라고 분석했다.

낸드 플래시 메모리 공정 기술도 현재 42나노미터 공정에서 내년 상반기에는 30나노미터대 공정으로 전환하게 될 것이라고 삼성전자측은 덧붙였다.