삼성電, 50나노 2Gb DDR3 업계 첫 인텔 인증

생산성 60% ↑, 전력소모 40% ↓.."본격적 수요 증가 예상"

삼성전자가 50나노급 2기가비트(Gb) DDR3 D램 제품에 대해 업계 최초로 인텔 인증을 획득했다고 18일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 이번에 인증된 제품은 2Gb DDR3 D램 단품(x8) 및 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM(데스크탑 PC용 D램 모듈) 제품이다. 또 서버용 8GB/16GB RDIMM 등 모듈 9종도 현재 평가 중으로 내년 초에 50나노 2기가비트(Gb) DDR3 전 제품의 인증이 완료될 예정이다.

50나노급 2Gb DDR3 D램 제품의 인텔 인증은 삼성전자가 유일하며 이는 D램 업체 중 가장 앞선 것으로 기술의 우수성과 제품력의 우위를 확실하게 보여 주는 것이라고 삼성전자는 강조했다.

50나노급 2Gb DDR3는 2007년 삼성전자가 개발한 60나노 2Gb DDR2 D램 대비 약 1.6배 빠른 1.333Gbps의 속도를 구현하고 단품 칩의 크기가 작아져 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다.

또 1Gb DDR3 단품을 탑재한 모듈에 비해 D램 단품의 개수를 반으로 구성할 수 있기 때문에 전력소모를 40% 이상 절감할 수 있으며 시스템 작동시 발열량이 크게 줄어 신뢰성이 크게 높아졌다.

특히 기존 2Gb DDR2 D램 단품의 경우 칩 크기가 커서 패키지 적층기술을 적용해야 고용량 모듈 제작이 가능했지만 2Gb DDR3 D램은 DDR2 D램 대비 크기가 대폭 축소돼 별도의 적층 기술 없이 8GB RDIMM, 4GB SODIMM(노트북용 모듈)/UDIMM 제품 양산이 가능해진 최초의 제품이다. 이에 따라 고용량 메모리의 시장 확대를 위한 원가 경쟁력도 강화됐다고 삼성전자는 설명했다.

삼성전자의 2Gb DDR3 D램이 인텔 인증을 획득함에 따라 노트북 및 서버 시장에서 안정적인 채용 기반을 확보했으며 본격적인 수요 증가가 예상된다.

한편 반도체 시장 조사 기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 비트 기준으로 전체 D램 시장에서 2009년 29%, 2011년 75% 규모로 성장하고, DDR3 D램 중 2Gb 비중도 2009년 3%, 2011년 33%를 차지할 것으로 전망된다.