삼성전자는 현재 운영 중인 5개의 200mm 라인 중 한 곳을 내년에 300mm 라인으로 업그레이드 시킬 계획이라고 26일 밝혔다.
홍완훈 반도체 총괄 상무는 "현재 5개의 200㎜ 라인에서 DDR1 D램, 노어플래시메모리, 원낸드, P램 시제품 등 다양한 특수 메모리반도체 제품을 생산하고 있다"며 "여타 경쟁사들과 달리 200㎜ 라인의 활용도가 높으나, 일단 1개 라인은 내년에 300㎜로 전환할 계획"이라고 말했다.
홍 상무는 "내년에 바로 가동할지는 아직 결정하지 않았지만 가동할 가능성도 있다"고 밝혔다. 삼성전자가 이 라인을 내년에 가동한다면 2009년에 새로 오픈되는 유일한 300mm 라인이 될 전망이다. 현재 메모리 업계에서는 내년에 신규 300mm 라인 증설 계획이 전혀 없는 상태다.
홍 상무는 다만 "300mm 전환한 라인에서 D램을 생산할지 아니면 낸드플래시를 생산할지는 아직 최정 결정되지 않았다"고 말했다.
메모리 반도체 업계는 D램과 낸드플래시 가격이 급락하면서 노후화된 200㎜ 라인에서는 수익을 올릴 수 없어 보유 중인 200mm 라인을 속속 폐쇄하고 있다. 하이닉스반도체도 1개 라인을 제외하고 모든 200mm 라인을 폐쇄키로 했고 미국의 마이크론, 독일의 키몬다 등도 200mm 라인 폐쇄 계획을 발표한 상태다.
홍 상무는 "현재 200㎜ 라인에서 특수제품 생산비중이 40%를 넘어선다"며 "또 수익성이 추가 악화될 경우 시스템LSI 생산용으로 활용할 수 있다는 점에서 삼성전자의 200㎜ 라인 한계 원가에 대한 우려는 경쟁사에 비해 덜하다"고 설명했다.
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