삼성電, 50나노 2Gb DDR3 세계 첫 양산

기존 DDR2 대비 원가·소비전력 개선..업계 주도권 확보

삼성전자가 세계 최초로 50나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) DDR3 D램(사진)을10월부터 양산에 들어간다.

DDR3는 현재 D램 시장의 주력 제품인 DDR2를 점차 대체할 것으로 예상되는 제품이다. 하이닉스반도체 등 일부 D램 업체들이 60나노급 이상에서 DDR3 D램을 소규모로 양산하고 있지만 50나노급 공정을 적용한 양산은 삼성전자가 처음이다.

삼성은 이번에 개발한 2기가비트 D램 솔루션으로 고용량 DDR3 모듈을 양산할 예정으로 서버용 8기가바이트(Giga Byte) RDIMM, 워크스테이션 및 데스크톱 PC용 4기가바이트(GB) UDIMM, 노트북용 4기가바이트(GB) SODIMM 등을 제작해 다양한 응용처로 메모리 솔루션 사용범위를 넓힐 예정이다.

삼성전자가 양산에 들어가는 50나노 2Gb DDR3 D램은 2007년 개발한 60나노 2Gb DDR2 D램의 최대 속도인 800Mbps(초당 800메가비트의 데이터 처리) 대비 약 1.6배인 1.333Gbps(1,333Mbps)를 구현한다.

또 단품 칩의 크기가 작아져 적층 기술 없이 고용량 모듈 제작이 가능해 생산 효율도 기존 대비 60% 이상 향상됐다. 특히 1기가바이트(GB) DDR3 D램 단품을 탑재한 현존 최고 용량의 서버용 16GB DDR3 모듈의 경우는 1Gb DDR3 단품에 4단 적층(QDP: Quad Die Package) 기술을 적용해 원가 부담이 있었으나 이번에 2기가 DDR3 D램이 출시됨으로써 2단 패키지 적층 기술(DDP)로 양산 예정이다.

이와 함께 2GB DDR3 D램을 활용하면 공정과 원가 측면뿐만 아니라 전력 측면에 있어서도 큰 개선이 가능하다. 8GB D램 모듈의 경우 기존 1Gb DDR3 D램 72개로 구성하던 것을 2Gb 36개로 대체할 수 있기 때문에 40% 이상 전력을 절감할 수 있고 이에 따라 시스템 작동시 발열량이 크게 줄어 신뢰성이 향상된다.

삼성전자는 50나노급 2Gb DDR3 D램 출시를 계기로 PC 시장에서 프리미엄 서버 시장에 이르기까지 앞으로 수년 이내에 D램 시장의 주력 제품이 될 2Gb DDR3 제품군에서 주도권을 확보하게 됐다고 밝혔다.

한편 반도체 시장 조사기관인 IDC에 따르면 세계 DDR3 D램 시장은 비트(Bit) 기준으로 전체 D램 시장에서 2009년 29%, 2011년 75% 규모로 성장할 것으로 전망했다.