하이닉스반도체는 300㎜(12인치) 공장과 비교해 생산성이 떨어지는 200㎜ 웨이퍼 가공 공장 구조조정을 당초 일정보다 앞당겨 200㎜ 공장을 연내 1곳만 남기고 3곳의 운영을 중단키로 했다고 18일 밝혔다.
하이닉스는 이미 지난달 미국 유진공장의 E1라인을 중단했고, 이달 M9와 M7 라인 중단에 이어 올 12월에 중국 C1 공장을 중단할 계획이다.
하이닉스는 현재 경기 이천에 M7라인 M10라인을 두는 한편 충북 청주에 M8라인 M9라인을 두고 있다. 해외 생산거점으로는 중국 우시 C1라인 C2라인, 미국 유진 E1라인 등을 두고 있으며 이 밖에 대만 프로모스와 전략적 제휴를 체결하고 2005년 하반기부터 프로모스 공장에서 D램을 위탁생산(파운드리)하고 있다.
하이닉스는 기존 M10라인 C2라인 등 2곳의 300㎜ 라인에 이어 지난달 충북 청주 M11라인 가동과 함께 추가로 C1라인을 300㎜로 전환함으로써 300㎜ 라인을 총 4곳 보유케 될 전망이다. 프로모스 파운드리 라인 역시 300㎜다.
하이닉스는 C1라인을 중국 반도체 위탁생산(파운드리) 업체인 CSMC에 매각키로 하고 올해 12월 가동 중단키로 하는 한편, E1라인 가동을 지난달 중단하는 등 채산성이 악화되고 있는 200㎜ 공장에 대한 구조조정에 나서고 있다.
특히 나머지 200㎜ 공장인 M9라인 M8라인 M7라인 가운데 이 달 중 M9라인 M7라인 역시 가동을 중단키로 결정하면서 200㎜ 공장은 연내 M8라인 1곳으로 줄어들 전망이다.
하이닉스가 메모리반도체 사업에 이어 추진 중인 비메모리반도체(시스템LSI) 및 파운드리 사업은 당초 계획했던 M7라인이 아닌 M8라인에서 진행될 전망이다.
M8라인은 반도체 원판(웨이퍼) 기준 월 13만장 규모 낸드플래시 생산을 유지하려던 당초 계획을 바꿔 공급이 절대적으로 필요한 제품만 생산하기로 함으로써 하이닉스의 200㎜ 원판 생산 비율은 지난해 말 월 50% 수준에서 내년 초 10% 이하로 줄어들 전망이다.
300㎜ 공정으로 반도체를 생산할 경우 200㎜ 공정대비 단일 웨이퍼에서 생산되는 반도체 개수를 2.5배 정도 늘릴 수 있다. 또한 반도체 공정이 기존 마이크로미터(㎛, 100만분의 1m)급에서 나노미터(㎚, 10억분의 1m)급 극미세 회로선폭 공정으로 이행되기 위해서도 300㎜ 공정 적용은 필수다.
하지만 200㎜ 라인 하나를 건설하는데 2조5000억원 정도 드는 데 반해 300㎜ 라인을 짓는 데는 4조5000억원 이상 투입된다. 때문에 국내외 반도체 기업들은 채산성이 악화되고 있는 200㎜ 라인을 매각함으로써 대규모 투자가 필요한 300㎜ 라인을 추가 확보하기 위한 자금 마련에 나서고 있다.
또한 200㎜ 라인 내 설비를 교체해 300㎜ 공정으로 전환하는 한편 비메모리반도체 생산에도 적극 활용하는 등 방법으로 200㎜ 공장에 대한 구조조정을 본격화하고 있다.
하이닉스 관계자는 "D램과 낸드플래시 메모리반도체 생산 대부분을 원가구조가 뛰어난 300㎜ 공정으로 전환함으로써 전체적인 수익성 현금흐름 등을 개선할 수 있을 것으로 기대한다"며 "300㎜ 공정의 지속적인 생산성 향상으로 원가경쟁력을 높일 계획"이라고 말했다.
한편 200㎜ 공장 조기 종산으로 하이닉스 전체 웨이퍼 생산능력은 올해 2/4분기 대비 내년 초 약 30%가 감소되며 D램의 경우 20% 이상, 낸드플래시의 경우 40% 이상 줄어들 전망이다.
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