지식경제부는 11일 삼성전자와 하이닉스가 '수직자기형 비휘발성 메모리(STT-MRAM)'에 대한 공동 R&D를 조만간 시작한다고 밝혔다.
STT-MRAM은 비휘발성임에도 SRAM과 맞먹는 초고속 동작이 가능해 차세대 메모리로 떠오르고 있다. 앞서 지난 6월 삼성전자와 하이닉스는 오는 2012년 STT-MRAM 시장이 본격적으로 형성될 것으로 보고 중소기업, 대학, 연구소 등과 컨소시엄을 구성해 4년간 공동 연구를 진행하기로 합의했다.
최근 두 회사는 올 12월까지 공동 연구기반을 구축하고 내년 1월 초부터 연구원을 공동 파견해 본격적인 R&D를 개시하기로 구체적인 일정을 잡았다.
지경부는 이번 연구가 R&D 사상 최초로 국내기업의 연구원들이 함께 모여 공동으로 연구하는 사례가 될 것으로 보고 있다.
지경부는 또 삼성전자와 LG디스플레이가 일본의 니콘과 캐논이 독점하고 있는 '디지털 노광기' 공동개발에 조만간 착수할 예정이라고 밝혔다. 디지털 노광기는 TFT-LCD 생산에 필요한 핵심 공정 장비에 해당한다.
삼성전자와 LG디스플레이는 지난 5월 '디스플레이 비전 선포식'을 갖고 디지털 노광기를 공동 개발하기로 합의하고 구체적인 절차를 논의해 왔다. 이에 두 회사는 오는 10월 말 R&D 컨소시엄에 추가로 포함시킬 기관을 최종 선정한 뒤 협약을 체결하고 본격적인 개발에 착수할 예정이다.
지경부 관계는 "앞으로도 산업 전반에 파급 효과가 큰 미래 원천기술 확보를 위해 기업간 공동 R&D 과제를 발굴해 지원할 계획"이라고 밝혔다.
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