2-Rank 기반 16GB DDR3 메모리 모듈은 지난 2월 개발된 2-Rank 기반 8GB DDR2 모듈과 같이 고용량을 구현하면서도 동작 속도의 손실이 없어 대용량 서버 및 워크스테이션 등의 애플리케이션에 적합하다.
현재 시중의 최대 용량 제품인 8GB 서버용 모듈이 한 채널당 2개의 모듈만 시스템에 장착할 수 있어 최대 16GB의 용량의 800Mbps의 속도로 동작하는데 비해 이번에 개발된 2-Rank 기반 16GB 모듈은 한 채널당 3개 모듈까지 지원이 가능해 48GB의 용량을 1066Mbps로 동작시킬 수 있다. 따라서 기존 제품 대비 약 33%의 성능 향상 및 3배의 고용량을 구현하게 된다.
또 이번에 함께 선보인 8GB DDR3 모듈도 한 채널을 24GB 용량까지 구성해 1066Mbps 속도로 동작시킬 수 있으며 올해 말까지 이 속도를 1333Mbps까지 향상시킬 계획이다.
하이닉스는 내년 1분기에 8GB DDR3 모듈을 먼저 양산하고 내년 2분기부터 16기가바이트(GB) DDR3 메모리 모듈을 대량 생산할 예정이다.
김지범 하이닉스 마케팅본부 전무는 “이번 제품 개발로 인텔의 고용량 서버 애플리케이션 등에 적합한 고용량 모듈 제품 군을 갖출 수 있게 돼 고용량 서버 시장에서의 경쟁력을 확보했다”고 강조했다.
김 전무는 “특히 2010년부터 시장의 주력 제품이 될 것으로 예상되는 DDR3 시장에 하이닉스가 고성능 제품으로 조기 진입해 시장을 선도할 수 있는 기반을 마련한 것에 의의가 있다”라고 덧붙였다.
16GB DDR3 메모리 모듈은 19일부터 미국 샌프란시스코에서 열리고 있는 인텔개발자포럼(IDF)에서 소개됐으며 인텔은 하이닉스의 제품을 10개로 구성해 160GB 용량으로 동작시키는 별도의 시스템을 구축해 시연할 예정이다.
☞Rank= 메모리 모듈에서 개별 메모리 소자(Component)가 여럿 모여서 하나의 단위로 동작하는 것을 Rank라 한다. 예를 들어 같은 용량의 1GB 모듈이라도, 1Gb 8개가 하나의 단위로 동작하는 것을 1 Rank라고 할 경우엔 1GB 1-Rank 모듈, 1Gb 4개가 하나의 단위로 동작하는 것을 1 Rank라고 한다면 1GB 2-Rank인 모듈이 된다.
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