하이닉스, 청주 최첨단 300㎜라인 가동 돌입

낸드플래시 전용 M11라인... 300mm 공장 3곳으로 늘려

하이닉스가 이천과 중국에 이어 청주에 마련한 3번째 최첨단 300㎜(12인치) 반도체 공장 가동을 시작했다.

권오철 하이닉스반도체 전무는 3일 "경기 이천 M10라인 및 중국 우시 C2라인에 이은 3번째 300㎜ 공장인 M11라인(사진)이 최근 양산에 들어갔다"고 밝혔다. 권 전무는 "낸드플래시 메모리반도체 전용공장인 M11라인은 9월부터 300㎜ 원판(웨이퍼) 기준으로 월 4만장 규모의 양산체제를 갖출 것"이라고 말했다.

그는 "현재 낸드플래시와 D램을 혼용 생산하고 있는 M10라인 내 낸드플래시 설비를 M11라인으로 이전해 신규로 설비를 투자하지 않고도 낸드플래시 양산이 가능하다"며 "M10라인과 M11라인을 각각 D램과 낸드플래시 생산으로 이원화할 계획"이라고 밝혔다.

300㎜ 웨이퍼로 반도체를 생산할 경우 200㎜보다 단일 웨이퍼에서 생산되는 반도체 물량을 2.5배가량 늘릴 수 있다. 또한 반도체 회로선폭을 기존 마이크로미터(㎛, 100만분의 1m)에서 나노미터(㎚, 10억분의 1m) 수준으로 미세화하기 위해서도 300㎜ 공정 적용은 필수다.

하이닉스는 현재 청주 M11라인과 이천 M10라인, 우시 C2라인 등 300㎜ 공장 3곳을 비롯해 이천 M7라인과 청주 M8라인 M9라인, 우시 C1라인, 미국 유진 E1라인 등 200㎜ 공장 5곳 등 총 8곳의 반도체 공장을 보유하고 있다.

특히 하이닉스는 오는 9월 청주 M9라인 및 유진 E1라인을, 내년 2월에 우시 C1라인을 각각 가동 중단키로 하고 이를 300㎜ 공정으로 전환하거나 매각을 추진하기로 했다. 채산성 문제가 발생하는 200㎜ 공장 정리에 본격 나선 것이다.

하이닉스 관계자는 "M11라인은 올해 48나노미터 공정에 이어 내년 1/4분기 41나노미터 공정을 도입하는 등 50나노미터 이하 최첨단 낸드플래시 생산에 특화할 것"이라고 말했다.

한편 M11라인은 대지면적 10만8697㎡ 및 건축면적 5만5805㎡ 규모로 지난해 4월 착공해 올해 3월 완공됐다.