다음은 공시 원문
1. 특허명칭 무연 후막 저항 페이스트용- 스트론튬계 도전성분말의 제조방법
2. 특허 주요내용
- 본 발명은 무연 후막 저항 페이스트용 스트론튬계 도전성분말의 제조방법에 관한 것으로, 칩저항기에 사용되는 후막저항페이스트의 무연화 구현에 있어서의 도전성 분말로 사용되는 스트론튬루테네이트(SrRuO3) 분말의 제조방법에 관한 것이다.
- 본 발명의 목적은 칩저항기의 무연저항페이스트에 적합한, 미세하고 균일한 크기의 구형입자로 된 고분산,고결정화 무연도전성 분말인 스트론튬루테네이트 분말을 얻기 위한 것이다. 또한, 본 발명은 상업적으로 가능하도록 저렴하면서도 대량 생산 할 수 있는 간단한 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.
3. 특허권자- 대주전자재료(주)
4. 특허취득일자- 2008년 06월 18일
5. 특허 활용계획
- 본 발명에 따라 제조된 스트론튬루테네이트 분말이 무연 후막 저항 페이스트의 원재료로 사용될 경우, 페이스트의 레올로지 특성이 우수하고 저항체에서의 저항온도계수, 내압 특성, 노이즈 등의 전기적 특성이 매우 우수하다.
- 상업적으로 가능하도록 저렴하면서도 대량 생산 할 수 있는 간단한 제조방법
- 현재 후막 저항 페이스트 원자재는 도전성분으로 Pb계 루테늄화합물, 글라스 프릿으로는 Pb계 산화물이 사용되고 있으며, 이는 RoHS(EU)규제 항목의 하나로써 초기에 무연화에 대응 가능
- 본 발명으로 인한 기술 축적으로 인한 타 금속(Ca, Bi, etc)과 루테늄화합물의 제조방법에 응용가능.
6. 확인일자- 2008년 06월 18일
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