동부하이텍, 복합고전압소자 공정기술 개발

공간활용도 높이고, 제조기간과 비용은 절감

반도체 위탁생산업체인 동부하이텍은 0.18마이크로미터(㎛, 1㎛은 100만분의 1m)급 복합고전압소자(BCDMOS) 공정기술을 개발했다고 3일 밝혔다.

동부하이텍 측에 따르면 복합고전압소자는 전자제품에 들어가 전류를 제어하는 기능을 하는 아날로그와 로직, 고전압 등 3종의 전력반도체를 하나로 통합한 것이다. 이번 공정기술은 기존 3종 반도체를 1개 칩으로 줄일 수 있어 공간 활용도를 높이고 제조기간과 비용을 절감할 수 있다.

동부하이텍은 특히 기존 0.35마이크로미터급 공정으로 생산했던 복합고전압소자를 0.18마이크로미터급으로 더욱 미세하게 구현함으로써 칩 크기를 줄이고 수익성을 개선할 수 있다고 밝혔다.

이 밖에 12볼트(V)에서 60볼트까지 넓은 범위의 고전압을 지원하는 이 공정기술은 전력관리(파워매니지먼트)칩과 발광다이오드(LED)구동칩, 휴대전화와 가전제품용 오디오칩 등 다양한 반도체 생산에 적용될 수 있다.

유광동 동부하이텍 상무는 "기존 0.35마이크로미터급에 이은 0.18마이크로미터급 공정기술 개발로 다른 업체보다 경쟁에서 우위를 점하게 될 것"이라고 말했다.