하이닉스, 업계 최초 "낸드 40나노 벽 깼다"

이달 48나노공정 낸드플래시 양산 돌입... D램도 50나노대 진입 앞둬

하이닉스가 낸드플래시 업계 최초로 40나노대 공정의 벽을 허물었다.

하이닉스반도체는 이달부터 48나노공정으로 낸드플래시 메모리반도체 대량생산(이하 양산)에 돌입했다고 20일 밝혔다.

48나노공정은 반도체 회로와 회로 사이의 폭(회로선폭)이 48나노미터(nm, 1nm는 10억분의 1m)로 머리카락 굵기의 약 1/2000의 두께에 불과한 미세한 최첨단 반도체 제조공정이다. 이전까지 낸드플래시 회로선폭을 가장 미세하게 구현한 사례는 삼성전자의 51나노공정이었다.

낸드플래시를 48나노공정으로 생산하면 하이닉스가 종전에 양산했던 57나노공정에 비해 300mm(12인치) 크기 반도체 원판(웨이퍼) 하나당 생산량을 30% 가량 향상시킬 수 있다. 때문에 낸드플래시 원가를 대폭 절감할 수 있으며 반도체 칩 하나당 크기 역시 줄일 수가 있다.

손수익 하이닉스 상무는 “당초 48나노공정 낸드플래시를 1/4분기부터 양산할 예정이었으나 수율(yield, 웨이퍼 당 정상 제품의 비율)이 원하는 만큼 나오지 않아 일정에 차질을 빚었다”며 “현재 모든 문제를 해결하고 양산에 들어가 이달 웨이퍼 1만장을 생산라인에 투입해 48나노 낸드플래시를 생산할 계획”이라고 밝혔다.

하이닉스는 업계 첫 40나노대 낸드플래시 양산 돌입으로 이 부문 각각 1, 2위인 삼성전자와 일본 도시바보다 기술력면에서 우위를 점했다는 평가를 받고 있다. 하이닉스는 48나노공정 낸드플래시를 경기 이천 본사 내 300mm 웨이퍼를 생산하는 M10라인에서 양산하고 있다.

손 상무는 이어 “낸드플래시 이외에 D램도 최근 54나노공정으로 시험생산에 들어갔으며 7월부터 월 3만장 규모로 양산에 들어갈 예정”이라고 밝혔다. 54나노공정으로 D램을 생산하면 하이닉스의 종전 66나노공정보다 생산성이 66% 가량 향상된다.

김종갑 하이닉스 사장은 “48나노공정으로 낸드플래시를 양산한 데 이어 연내 41나노공정 양산에도 들어갈 것”이라며 “D램 역시 50나노대 공정에 진입함으로써 올해를 낸드플래시와 D램 양 부문 선두업체인 삼성전자와의 기술격차를 없애는 한해로 만들 것”이라고 밝혔다.