하이닉스는 6일 66나노미터 기술을 적용한 모바일 D램으로 1.2 볼트(V)의 저전압에서 800Mbps의 속도를 구현하는 1Gb 모바일 LPDDR2(Low Power DDR2) 제품을 개발했다고 밝혔다. 지난해 8월 세계 최고속·최소형 1Gb 모바일 DDR 개발 이후 8개월 만이다.
이 제품은 국제반도체표준협의 기구(JEDEC) 규격에 부합하며 하이닉스는 앞으로 모바일 D램 구동 프로세서 생산회사들과 공동으로 이 제품의 국제 표준화를 추진할 계획이다.
하이닉스는 특히 이 제품은 세계 최초로 1.2V의 전압에서 업계 최고속인 800Mbps의 데이터 전송 속도를 구현할 수 있어 급속히 진화하고 있는 모바일 기기에 최적화된 제품이라고 밝혔다. 800Mbps는 1초당 한글 5000만자 정도를 보낼 수 있는 속도다.
하이닉스는 또 이 제품이 66나노(1나노=10억분의 1m) 초미세 공정으로 생산돼 크기가 9밀리미터(mm)x12mm 정도에 불과하다고 밝혔다. 이에 따라 경쟁력 있는 패키지가 가능하며 하나의 칩에서 다양한 데이터 처리 속도 및 방식 지원이 가능한 ‘원 칩 솔루션’ 기능을 갖춰 이를 탑재하는 기기의 사양에 따라 변경해 사용할 수 있다.
하이닉스 관계자는 "이번 제품은 1Gb 이상 고용량 모바일 메모리 시장을 선도할 수 있는 획기적인 신제품으로 올해 4분기부터 양산할 예정"이라고 밝혔다.
하이닉스반도체는 올해 수익성 1위 탈환을 위해 모바일 D램을 비롯한 고부가가치 제품의 비중을 대폭 늘릴 계획이다.
특히 모바일 D램은 적기에 신제품을 개발하고 판매를 확대해 현재 7% 정도인 시장 점유율을 20%까지 확대한다는 목표다.
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