5일 관련업계에 따르면 하이닉스는 전략적 제휴 관계에 있는 프로모스에 54나노 공정을 적용한 D램 생산 기술을 이전하기 위해 협상중이다. 업계 고위 소식통은 "하이닉스가 66나노 기술을 이전할 계획이었지만 협상 과정에서 54나노 기술로 바뀌었다"며 "이 때문에 두 회사간 협상이 늦어지고 있다"고 말했다.
이미 하이닉스가 적용하고 있는 66나노 공정이 아니라 오는 3분기에 양산할 54나노 공정을 이전키로 함에 따라 시간적 여유가 생겨 협상 속도가 더디다는 것. 실제로 당초 하이닉스는 66나노 공정 기술을 이전키로 하고 지난해 연말까지 산업자원부에 이를 신고할 계획이었지만 아직까지 이뤄지지 않고 있다.
이와 관련 하이닉스 고위 관계자도 "프로모스 입장에서는 하이닉스가 장기적으로 기술 이전을 게런티(보장)해 줄 수 있는지가 협상의 관건"이라며 "66나노와 그 이상의 공정을 포함한 협상을 벌이고 있다"고 말했다.
하이닉스와 프로모스간 기술이전 대상이 66나노에서 54나노로 바뀐 것은 프로모스 입장에서 66나노는 큰 도움이 되지 않기 때문이다. 하이닉스와 삼성전자 등이 올해부터 50나노 공정을 적용키로 한 마당에 66나노 기술을 이전받아 봐야 한단계 뒤쳐진다는 것. 한단계 뒤진 기술에 막대한 투자를 할 수는 없다는 얘기다. 특히 프로모스는 이미 자체적으로 70나노 공정에 기반한 1GB DDR2를 개발한 상황이다.
1나노는 '1억분의 1m'로 낮아질수록 한장의 웨이퍼에서 생산할 수 있는 칩 수가 많아진다. 일반적으로 80나노급 공정에 비해 60나노급 공정의 생산성이 2배 높고 60나노급 공정에 비해 50나노급 공정은 50% 이상 생산성 향상이 가능하다.
프로모스는 대만의 파운드리(반도체 위탁생산) 업체로 하이닉스와 지난 2003년 전략적 제휴를 맺고 하이닉스로부터 기술을 이전받아 D램을 생산하고 있다. 현재는 80나노 공정을 적용하고 있다.
하이닉스는 프로모스에 기술을 이전해 주는 대가로 프로모스 생산량의 절반 가량을 하이닉스가 가져다 팔 수 있고 나머지 프로모스가 판매하는 D램에 대해서는 로열티를 받고 있다.
한편 지난해 8월말 발효된 산업기술유출방지법에 따라 D램의 경우 80나노 이하의 설계부터 조립 검사 기술을 해외로 내보낼 때는 지식경제부에 신고토록 하고 있다. 신고 사항이지만 '국가안보에 심각한 영향'을 줄 것이라고 판단될 때는 산업기술보호위원회의 의결을 거쳐 수출중지·수출금지·원상회복 등을 명령할 수 있다.
하이닉스는 프로모스에 기술을 이전하는 것에 대해 기술수출이며 핵심기술이 빠져나갈 수 없도록 철저한 보안조치를 하기 때문에 기술 유출의 우려는 없다고 강조했다. 이와 관련 지식경제부 관계자는 "아직까지 하이닉스로부터 신고를 받지 못해 현재로서는 어떤 판단을 내릴 수 없다"며 "법적인 문제인만큼 신고가 들어오면 위원회에서 심사하게 될 것"이라고 말했다.
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