하이닉스, R&D 강화 수익성 1위 탈환 꿈꾼다

올해 R&D 투자, 매출액 대비 8%로 높여

하이닉스반도체가 올해 수익성 1위 탈환을 위해 연구개발(R&D) 투자를 매출액 대비 8% 수준까지 끌어올린다. 또 내년에는 이 비율을 10%까지 높일 계획이다.

하이닉스는 10일 경쟁우위의 기술개발과 지속성장을 위한 미래기술을 확보하는 한편, 고효율·저비용 구현을 위한 업무혁신과 창조적 연구역량을 강화할 것이라고 밝혔다.

기술경쟁력 우위 확보를 위해 D램은 신규 기술이 전개될 때마다 웨이퍼 1장에서 생산 가능한 칩수(Net Die)를 45% 이상 증가시키고 공정기술 개발기간도 1분기 이상 단축시킬 예정이다.

또 신제품의 공정증가율을 최소화하고 54나노 1Gb DDR2 제품을 이르면 2분기에 개발해 3분기부터 양산할 계획이다. 44나노 1Gb DDR3 제품도 올해 개발에 착수해 내년 상반기에 완료한다는 방침이다.

낸드 플래시는 48나노에서 20나노까지의 기술 개발을 연속선상에서 동시에 진행해 연구개발의 효율성을 증대하고 적기에 제품을 개발한다. 이에 따라 업계 최초로 40나노급 공정인 48나노 제품을 1분기에 개발해 2분기부터 양산하고 41나노 제품도 연말에 개발해 업계 선도회사로 도약한다는 목표를 세웠다.

차세대 저장장치로 부각되고 있는 SSD(Solid State Disk)도 하반기부터 128GB 제품 등을 본격 출시함으로써 고객의 요구에 적극 대응할 예정이다.

이와함께 DDR3 서버 시장 선점, 그래픽스 D램 제품의 주요 고객 인증 획득, 모바일 D램의 고객 확대 등 고부가가치 제품의 비중도 50% 이상으로 확대해 수익성을 제고할 계획이다.

하이닉스는 이밖에 2010년부터 차세대 반도체인 P램, STT램, Re램 등을 개발해 지속성장을 위한 미래기술도 확보한다.

특히 제품개발 기획단계부터 제조까지 모든 업무 프로세스를 통합 관리할 수 있는 혁신시스템을 도입해 제품의 개발 시기를 단축하는 한편, 낭비요소를 제거할 수 있는 COPQ(Cost of Poor Quality) 체계를 구축하고 연 30% 이상의 기회비용을 절감할 계획이다.

또 주어진 문제를 극복하고 혁신적인 해결방안을 얻을 수 있는 창의적 문제해결 이론인 트리즈(TRIZ)를 적극 업무에 도입해 창조적 R&D 역량을 강화한다.

이를 위한 투자에도 적극적으로 나선다. 하이닉스는 R&D 투자를 지난해 매출액 대비 6% 에서 올해는 약 8% 수준으로, 2009년에는 10%까지 확대한다. 김종갑 사장은 지난 4분기 실적발표회에서 "올해 전체 투자는 전년대비 25% 줄인 3조6000억원이지만 R&D 투자는 오히려 전년대비 늘릴 계획"이라고 밝힌 바 있다.

한편 하이닉스는 지난해 중장기 마스터플랜에서 2012년까지 ‘글로벌 연구개발 No.1’으로 도약한다는 목표와 구체적 확보방안을 수립한 후 R&D 인프라 강화, 글로벌 협력 체제 구축, 연구인력 확보를 중점적으로 추진하고 있다.